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材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 形貌分析手段Morphology Observation 材料的分析与表征Materials Characterization 结构分析手段Structure Determination 成分分析手段Composition Analysis 表面分析技术Surface Analysis 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料研究需要各种分析表征手段，要求我们掌握它们的原理并在实践中加以灵活运用。 例三、PLD法制备VO2外延薄膜 RBS和C－RBS Analysis表明VO2薄膜是结构良好的单晶体。 还可以研究搀杂以及扩散等行为。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 埋层的结构和取向：XRD、Raman、FTIR、XRD－织构分析 埋层与基片的取向关系：XRD－织构分析 埋层的化学成分及其沿着深度的分布：RBS、AES等 埋层的电学性能、光学性能：T－R曲线、光吸收谱等 埋层的厚度：RBS、离子束透射分析。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 需要解决的分析和表征问题： 1、埋层是否是立方SiC？ 2、如果是，则埋层与基片的取向关系如何？ 3、埋层的成分分布如何？ 4、埋层的一些性能如何？ 利用多能量离子注入的方法，可以将SiC埋层的外延生长温度从850 度降低到400度左右；还可以将埋层的成分分布大大优化。 Si (111) 或者Si(001) Carbon ions E1 E2 E3 例四、离子注入合成SiC外延埋层 由X－光衍射分析和FT－IR分析知道：形成的埋层是立方SiC。 X－光衍射同时暗示：SiC埋层具有良好的（111）织构。由于SiC和Si都是立方结构。因此，SiC埋层和Si基片可能有取向关系。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 织构分析说明，SiC埋层和Si基片有很强的取向关系： SiC(111)//Si(111) [110]SiC//[110]Si 例四、离子注入合成SiC外延埋层 对比两个织构图，发现：SiC(311) 比Si（311）多了3个点（标为A）。 将衍射位置分别转到A点（异常位置）和B点（正常位置），然后作扫描，得到如下衍射峰。经过分析，知道分别为Si(400)和SiC(311)的衍射。为什么？ * 张政军 这些玩意儿真的，假的？ 材料形貌 显微分析：人眼、显微镜、SEM、AFM、TEM、STM等等 材料成分 能谱分析：EDAX、XPS、AES、RBS、等等 材料结构 衍射分析：XRD、SAD、RHEED、LEED等等 化学状态 能谱等：XPS、AES等等 表面状态 AFM、STM、RHEED、LEED等 一般常见的材料分析技术要得知材料的： 表面或者内部的显微结构图像（SEM、TEM、AFM等）； 材料成份分析（EDS、ESCA、AES、SIMS、RBS等）； 材料结构分析（XRD、SAD（TEM）、LEED、RHEED等）； 常见的材料分析仪器有： 光学显微镜 (Optical Microscope, OM)、扫描式电子显微镜 (Scanning Electron Microscope, SEM)、X光能谱分析仪 (X-ray Spectrometry)、透射式电子显微镜 (Transmission Electron Microscope, TEM)、聚焦式离子束显微镜 (Focused Ion beam, FIB)、X光衍射分析仪 (X-ray Diffractometer, XRD)、俄歇电子能谱分析仪 (Auger Electron Spectrometry, AES)、二次离子质谱仪 (Secondary ion Mass S