2015第3次课第三章异质结的能带图资料.ppt

有外加偏压时： 什么是Anderson 定则？ 异质结能带有几种突变形式？ 尖峰的位置与掺杂浓度的关系是什么？ 同质结和异质结的电势分布有何异同？ 同型异质结有哪些特点。 3.1节 （3.1.1）能带图 （3.1.2）突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度 （3.1.3）突变同型异质结 （3.1.4）几种异质结的能带图 （3.1.5) 尖峰的位置与掺杂浓度的关系 第三章 异质结的能带图 （3.1.1）能带图 A B Ec Ec A B Ec Ec Ev Ev Ev Ev 能带结构 异质结界面两侧的导带极小值和价带最高值随坐标的变化。 什么是能带图？ Let x be the electron affinity, which is the energy required to take an electron from the conduction band edge to the vacuum level, 电子亲和势?：电子由导带底跃迁到真空能级所需的能量，?=E0-Ec vacuum level Ec Ev let f be the work function, which is the energy difference between the vacuum level and the Fermi level. 功函数?：电子由费米能级至自由空间所需的能量，?=E0-F f Ec Ef Ev Andersons rule states that when constructing an energy band diagram, the?vacuum levels?of the two semiconductors on either side of the heterojunction should be aligned 不考虑界面态时的能带结构 (一）能带图 由电子亲和能、禁带宽度、导电类型、掺杂浓度决定 A 突变反型 x1 x2 DEc DEv EF Ev EC EF Eg1 Eg2 f1 f2 未组成异质结前的能带图 1 2 1异质结的带隙差等于导带差同价带差之和。 2导带差是两种材料的电子亲和势之差。 3而价带差等于带隙差减去导带差。 x1 x2 DEc DEv EC2 Eg1 Ev2 Ec1 Ev1 n-GaAs P-GaAs p n 当两种单晶材料组成在一起构成异质结后，它们处于平衡态，费米能级应当相同。 为了维持各自原有的功函数?和电子亲和势?不变，就会形成空间电荷区，在结的两旁出现静电势，相应的势垒高度为eVD，e为电子电荷，VD为接触电势。 它等于两种材料的费米能级差： EC EF2 Eg2 Eg1 EF1 Eg1 EF1 EC EF2 Eg2 接触前 接触后 1. Align the Fermi level with the two semiconductor bands separated. Leave space for the transition region. 如何画接触后的异质结能带图 EC EF2 Eg2 Eg1 EF1 内建电场=》空间电荷区中各点有附加电势能，使空间电荷区的能带发生弯曲。 Eg1 eVD EC Eg2 1 能带发生了弯曲：n型半导体的导带和价带的弯曲量为qVD2, 界面处形成尖峰. p型半导体的导带和价带的弯曲量为qVD1, 界面处形成凹口(能谷）。 2 能带在界面处不连续，有突变。 Ec , Ev There is nonsymmetry in DEC and DEv values that will tend to make the potential barriers seen by electrons and holes different. This nonsymmetry does not occur in homejunction InGaAs GaAsSb InAs GaSb EC1 Ev1 EC2 Ev2 EC1 Ev1 EC2 Ev2 EC1 Ev1 EC2 Ev2 Straddling 跨立型 (b) Staggered 错开型 (c) Broken gap 破隙型 AlGaAs GaAs 典型的能带突变形式 AlGaAs GaAs InGaAs GaAsSb 电子和空穴在空间分离 根据半导体物理理论，这种分离效应可以有效抑制材料载流子的俄歇复合。任何光子探测器，随着温度的升高，最终的效率极限都将是材料中载流子的俄歇复合。目前最好的红外探测器材料碲镉汞的最终性能极限就是载流子的俄歇复合，如果禁带错位型类超晶格结构如预期的那样能将电子、空穴物理分离，实现对俄歇复合的有效抑制。 InAs GaSb 电子从一种半导体大量流入到另