2016-2(第二章)氧化资料.ppt

2.6 氧化设备 1. 卧式高温炉 2. 立式高温炉 3. 快速升温炉 2.6 氧化设备 1. 卧式高温炉 2. 立式高温炉：节约净化室面积、提高自动化处理水平 2.6 氧化设备 立式高温炉系统 2.6 氧化设备 3. 快速升温炉 传统立式炉与快速升温立式炉的温度曲线对比 2.6 氧化设备 升温速率：15 ℃/min 降温速率：5 ℃/min 升温速率：100℃/min 降温速率：60 ℃/min 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统 2.6 氧化设备 高温炉的组成： 2.7 快速热处理 快速热处理（RTA）是在非常短的时间内（几分之一秒）将单个硅片加热至400～1300℃温度范围的一种方法。 RTA的优点： 1.减少热预算（硅工艺过程中需要的热能：温度*时间） 2.硅中杂质运动最小 3.冷壁加热减少沾污 4.腔体小气氛洁净 5.更短的加工时间 RTA的应用： 1.离子注入退火，以减小注入损伤和电激活杂质 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃（BPSG）回流 4.阻挡层退火（如TiN） 5.硅化物形成（如TiSi2） 6.接触合金 2.7 快速热处理 RTP系统： 2.7 快速热处理 已知线性－抛物线性模型为：t2ox＋Atox＝B(t + τ)。其中，tox为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm)；B为抛物线速率系数(μm2/h)；B/A为线性速率系数(μm/h)；τ为生成初始氧化层所用的时间(h)。假如硅片在初始状态时已有100nm的氧化层。计算 (1) 在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的厚度。(2) 在120分钟，920℃水汽氧化过程中所消耗的硅的厚度是多少？已知：在920℃水汽氧化条件下，A=0.50μm，B=0.20μm2/h。 第二章作业 第二章习题 书中第十章 8、18、24、25、47 自然氧化层一般小于5nm，cross section HR-TEM表征的结果。 * 自然氧化层一般小于5nm，cross section HR-TEM表征的结果。 * 当二氧化硅结晶完美时就是水晶 * 普通玻璃（Na2SiO3、CaSiO3、SiO2或Na2O·CaO·6SiO2）；石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料 * 在加热和冷却过程中，氧化硅与硅有同步的膨胀与收缩，因此，氧化硅可以完美的附着在硅片表面。 * Nsi*x=Nsio2*x0；Nsi=5*10^22cm^3, Nsio2=2.2*10^22cm^3；x=0.445x0 * * 都是一种非破坏性的方法。 * 参见P157；CV测试系统中具有加热加偏压装置，目的是用来驱使沾污离子电荷的移动；在沾污离子电荷移动前后分别测得CV曲线，两根曲线之间存在一个电压差，依据电压差计算出沾污离子电荷的数量。 * 提高效率，减小热预算 * 湿氧氧化 水汽产生 装置 2.2 氧化原理 斜坡降温（以5℃ /min从1100℃ 降到850℃ ） 出片（手动或自动以5cm/min的速度移出850℃的恒温区） 质量检查（厚度及其均匀性、表面缺陷、固定和可动电荷的检测） 2.2 氧化原理 上述工艺SiO2厚度大约600nm左右 温度 时间 850oC 850oC 10oC/min 5oC/min 1100oC O2+H2O 60 min N2 N2 氧化程序控制曲线 O2 20 min O2+HCl 20 min 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 2.2 氧化原理 H2 ＋O2 → H2O 氢氧合成工艺 氢氧合成产生水分子代替去离子水加热产生水分子 5.先进的氧化工艺（氢氧合成氧化工艺） 2.2 氧化原理 水汽氧化： Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 2.2 氧化原理 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 2.2 氧化原理 气体流量比很重要！ 氢氧合成氧化： 氧化前 氧化后 氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的45％左右 2.2 氧化原理 6.氧化消耗硅 2.3 SiO2在集成电路中的用途 1.MOS结构的电介质层（栅氧化层） 2.限制带电载流子的场区隔离（场氧化层） 3.保护器件以免划伤和离子沾污（保护层/钝化层） 4.掺杂过程中的注入阻挡层（掺杂阻挡层） 5.减小氮化硅与下层之间应力的垫氧化层（垫氧层） 6.减小注入损伤及沟道效应的注入屏蔽氧化层（注入屏蔽 氧化层） 7.导电金属之间的层间介质（金属间的绝缘层） 1. 栅氧化层