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　回 顾 作业 18----22、25---28 * * * ? * 第一章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管 1. 二极管的特性、应用 2.半导体三极管 NPN型 PNP型 3. 三极管连接方式 C E B 符号 C E B 符号 4. 三极管的放大作用 三、三极管的放大作用 内部条件 （1）基区较薄，基区掺杂浓度低。 （2）发射区掺杂浓度高。 外部条件 （外加电源极性） 发射结加正向电压 集电结加反向电压 （集电结反偏） （发射结正偏） 对于NPN型：UCUBUE 对于PNP型：UEUBUC 电压关系： 发射区集电区基区 （3）集电区体积大、掺杂少，能收集载流子。 晶体管中载流子的运动过程 （1）发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 发射结正偏 扩散强 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 E区多子（自由电子）到B区 1、载流子的传输过程 晶体管中载流子的运动过程 （2） 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 基区中电子被EB拉走形成 IB 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 晶体管中载流子的运动过程 （3）集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子