器件物理(1-2)概述.pptVIP

* 2.6 应用 * 2.6 应用 * 2.6 应用 * * 直接隧穿（直接带隙半导体），间接隧穿（间接带隙半导体） 由于动量守恒要求，间接隧穿要有声子辅助，因此，直接隧穿几率大于间接隧穿。 * 2.3.2 隧道几率和隧道电流 1. 隧道几率 由量子力学的WKB（文策耳-克莱默-布里渊法）近似，隧穿几率 可见P取决于Eg和△x~掺杂浓度。 K=1.33 K=2.0 K=1.59 * 2.隧道电流 假设： 1）小电压下，P为常数； 2）状态密度函数∝（E-EC)1/2和(EV-E)1/2; 3）qVn和qVp≤2kT； 分布函数线性近似 正向隧道电流 2.3.3 过量电流 V≥Vp+Vn，隧道电流应为0 过量电流：谷电流+指数过量电流 * 谷电流：重掺杂半导体的带尾效应，造成禁带变窄，从而导致势垒变窄，隧道电流加强。对隧道二极管，重掺杂是必要条件，因此谷电流不可避免。 * 指数过量电流：载流子通过禁带中的能级发生的隧道效应电流，这种隧道电流Ix随V电压指数上升。 * 2.3.4 等效电路 等效电路如图所示，RS为串联电阻包括欧姆接触、引线和材料的扩展 电阻；LS为串联电