4.2_3_4绝缘栅场效应管概述.pptVIP

2. N沟道增强型场效应管的工作原理 增强型MOS管特性小结 双极型三极管与场效应三极管的比较 * 西安电子科技大学计算机学院 吴自力 2015-5 * 4.2 绝缘栅场效应管: 绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件。 分为: 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电沟道， 耗尽型： 存在导电沟道， MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 1. N沟道增强型MOS场效应管结构 4.2.1增强型MOS场效应管 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 漏极D→集电极C 源极S →发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 Metal 绝缘层—氧化物 Oxide 基体—半导体 Semiconductor 因此称之为MOS管 MOSFET 栅源电压