高频电阻焊用FRD二极管的研制.doc

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高频电阻焊用FRD二极管的研制

高频电阻焊机用FRD二极管的研制 ? 一、 高频电阻焊机和超大电流FRD   高频电阻焊机和焊接机器人的发展蓬蓬勃勃,方兴未艾,这是现代自动化大工业的一大亮点。高频电阻焊机和焊接机器人对高频整流二极管提出了新的特殊要求。焊接二极管不仅具有现代快恢复二极管的所有特点,而且还有其自身的特殊性【1】。   首先,因制造业的需求与器件制造水准的不断提升,其电流容量越来越高,1 kHz用焊接二极管已达16000A,10kHz用焊接二极管达到5000 A~10000A。   当整流二极管发展到超大电流时,必须是低功耗、低热阻、快软恢复,结合电焊机,它又是低电压、高雪崩特性。   超大电流FRD快恢复二极管的制造与应用,是近几十年的事情。它首先由欧洲的ABB、EUPEC依据电阻焊机发展需求而开发出来的。1kHz用7100 A、12000 A焊接二极管,已随着他们的电阻焊机大量进入中国。然而更先进的10 kHz用高频焊接二极管,却还未见报导。   高频电阻焊机和焊接机器人常用的电路如下【2】: ? 超大电流FRD焊接二极管与普通二极管的本质区别就是高雪崩、快软恢复。   开发生产超大电流FRD整流二极管的技术难点是:超薄硅片的研磨、清洗、扩散、合金、台面造型、钝化保护等新技术;超薄管壳和无管壳封装技术;特殊的多层金属化欧姆接触技术;大功率高雪崩特性技术;现代最新FRD技术(包含反向恢复特性Irr、trr、Qr小、FRRS大的技术);优化的局域少子寿命减低技术;可以直接并联连接的正向通态峰值电压以及超低门槛电压VF、通态斜率电阻rF的控制技术;超低结壳热阻Rthcj的技术;现代超大电流FRD二极管的检测技术等等。   我们研制的是FRD5000 A - 200 V -10 kHZ快恢复整流二极管。 二、 FRD5000A- 200V-10kHz快恢复整流二极管的设计计算 1) 5000 A/200 V/10 kHz快恢复FRD二极管的主要技术参数 (1) I F(AV)= 5000 A (Tc=100) (2) I FSM= 45000 A (3) V RRM= 200 V (Tjm=170) (4) I RRM≤ 50 mA  (Tjm) (5) V RSM= V RRM = 200 V (雪崩型T=25 ,Tjm) (6) 反向脉冲方波浪涌功率P RSM>100 kW (脉宽20μs,TJM) (7) VFM/IFM<1.15 V/5000 A ( Tj= 25 ,Tjm) (8) Rthjs=0.01 /W (9) 反向恢复特性:trr≤5 μs, Irr≤120 A, Qr≤220 μC (10)反向恢复软因子FRRS≥1.5  2)芯片相关参数 【3】: (1)直径Φ= 48  (2)厚度H= 0.18 (3) 斜角边宽 b< 1.8 (4)阴极有效面积Sy>15.2 cm 2 (5)平均电流密度J F(AV)=162 A/cm 2 (6)峰值电流密度JFM=509 A/cm 2 (7)扩散后少子寿命τp=13 μs,扩铂后少子寿命τp≤5 μs。 3)产品设计计算   设计计算FRD5000 A/200 V/10 kHZ快恢复整流二极管技术参数所依据的主要公式,均参照资料【3】【4】 所给出;所有技术参数的设计计算都是和具体可行的工艺相结合的。 ? ? ? ? ? 对其中的关键的工艺说明如下: 1) 超薄硅片及无应力加工技术   FRD5000A-200V课题是低压下的大电流快恢复二极管,在达到反向电压时,实现大电流下的低功耗。为此必须采用超薄硅片,特别是超薄基区的硅芯片。   以往二极管的最小硅片厚度0.24,但制做超大电流FRD焊接二极管时,0.24太厚了,将造成正向电压降过高、功耗过大。我们实验的硅片厚度当选用在0.19及以下时,才能达到超大电流电阻焊机要求的功耗水平。   这种超薄硅片彻底颠覆了原有二极管的生产工艺,整个从头到尾的操作过程都必须是无应力的。从工装夹具的软接触到工艺过程的软操作,须对员工有明确的精细操作规定。检查标准明确规定不准有碎片的出现,为此软工装系数必须做到100%;尽量采用截面电阻率均匀的硅单晶,使空间电荷区均匀,结电容小,关断时不至于产生过大的反向电流,即过大的能量损耗。 2)雪崩技术【5】   电阻焊机启动频繁,环境比较恶劣,随时有过压过流现象发生,故对FRD焊接二极管有相当的雪崩能力要求。   要实现二极管的高雪崩能力必须采用非穿通结构,且尽量采用低电阻率单晶,以获取尽量高的电场强度。 ? 3)低阳极浓度技术【6】   普通SD二极管要求有强发射极,尽可能高的少子寿命。   强阳极发射区对FRD二极管不合适,FRD的等离子水平必须浅,这样才能使高换流di/dt产生的最大反向恢复电流I

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