《微电子学》-ch2_半导体物理研究.ppt

不同的半导体，电子摆脱束缚需要的能量不同 硅：1.12eV 锗：原子序数32，对价电子的束缚较弱，0.78eV 化合物半导体 共价键结合 每个III族原子周围有4个V族原子，V族原子周围有4个III族原子 V族原子把一个电子转移给III族原子，有一定离子性，结合强度增大 电子脱离共价键束缚需要的能量：1.43eV 电子摆脱共价键的方式 晶体内原子的热运动 常温下，硅中热运动激发产生的电子、空穴很少，对硅的导电性影响很小 光照 常温下硅的导电性 杂质 电导率、电阻率和迁移率 均匀导电材料：电阻或电导来表示导电能力，电场不很强，欧姆定律 杂质半导体的导电 电流不均匀 微分欧姆定律：j＝?E＝E/? 电导率与杂质浓度的关系 常温下电子无规则运动：不会形成电流 漂移运动：存在电场，由电场作用而产生电子沿电场方向的运动，产生一定定向速度 j=nqv，v是电场作用下的平均漂移速度 单位时间通过单位面积的电荷量（电流密度） v＝uE：u为载流子的迁移率（单位电场作用下的平均漂移速度） 由微分欧姆定律：j＝?E＝nqv＝nquE ?＝nqu：?为电导率 与半导体中的载流子浓度n有关 与载流子的迁移率u有关 载流子在运动过程中，与晶格、杂质、缺陷发生碰撞，无规则地改变运动方向，发生散射；经历一次散射载流子丧失了原有定向运动