2二极管909答题.ppt

PN结中有两种运动 * 第二章 半导体器件 （二极管、三极管、场效应管） 2.1 半导体基础知识 1.本征半导体和杂质半导体 2.PN结的形成 3.PN结的单向导电原理 2.2 半导体二极管 4.二极管及其主要参数 5.稳压二极管 2.3 半导体三极管 6.三极管的结构 2.1 半导体基础知识 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的 物质，如锗、 硅、砷化镓和一些 硫化物、氧化物等。 特点: 1.受外界热和光的作用时，导电能力明显变化。 2.纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。 分类：本征半导体、杂质半导体 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体。 硅 锗 如晶体硅和锗，它们的最外层电子都是四个。 1. 本征半导体和杂质半导体 4个价电子，恰好与相邻4个原子的价电子组成4个共价键。 呈束缚状态 共价键结构 +4 +4 +4 +4 在获得一定能量后，某些价电子脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 自由电子 空穴 载流子 总是成对出现，可自由移动 浓度低，导电能力弱 在本征半导体中掺入某些杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体. 1.N型半导体（Negative type 电子型半导体） 掺入五价的元素(磷、砷、锑 ) 2.P型半导体（Positive type 空穴型半导体） 掺入三价的元素（硼） N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的磷（五价元素） +4 +4 +5 +4 磷原子 自由电子空穴 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 自由 电子 （多子） （少子） 正离子 自由电子 （以带负电的电子导电为主） P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的硼（三价元素） +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 自由电子空穴 负离子 空穴 （以带正电的空穴导电为主） 多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度， 少子的浓度主要取决于温度。 P区 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N区 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 2. PN 结的形成 多子扩散 复合 形成空间电荷区 PN结 内电场 有利少子漂移运动 阻碍多子扩散运动 动态平衡 + — E (耗尽层) (阻挡层) 漂移运动：由电场作用引起的少子的运动 扩散运动：由载流子浓度差引起的多子的运动 PN结的几种叫法： 空间电荷区： 留下的是不能运动的离子 耗尽层： 多子扩散到对方被复合掉 阻挡层： 形成的内电场阻止多子扩散运动 3. PN结的单向导电原理 （1）PN结外加正向电压，P加高电位(正向偏置) PN结的动态平衡被打破 ＋ － 内电场被（ ） 空间电荷区变（ ） 有利于（ ）扩散 形成较（ ）扩散电流 PN结处于（ ）状态 削弱 薄 多子 大 导通 PN结的动态平衡被打破 内电场被（） 空间电荷区变（） 不利于（）扩散 只形成（）漂移电流 （2）PN结外加反向电压，N端高电位(反向偏置) － ＋ PN结处于（）状态 由于漂移电流（反向饱和电流）很小，可近似为零 增强 厚 多子 很小 截止 1. PN结正偏时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，视为导通； 2. PN结反偏时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，近似截止； 由此可得出结论：PN结具有单向导电性. 用于判断管子性能 二极管的符号： 4. 二极管及其主要参数 2.2 半导体二极管 (1) 基本结构 PN结加上引线和管壳，就成为半导体二极管。 按材料分：硅管，锗管 面接触型 点接触型 (只能通过较小的电流) (可通过较大的电流) 按结构工艺分： (2) 二极管的伏安特性 U I 死区 正向 反向 电压 ①正向特性 ②反向特性 ③反向击穿特性 反向击穿电压U(BR) 外电场不足以克服 内电场,电流很小 外电场不足以克服 内电场,电流很小 硅管0~0.5V锗管0~0.1V 导通压降: 硅管0.7V,锗管0.2V 反向饱和电流 (3)二极管的主要参数（自学） ①最大整流电流 IFM ②最高反向电压URM ③反向饱和电流 IR ④最高工作频率fM 5. 稳压二极管 特点:工作在反向击穿区，其反向击穿是可逆的. 稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。它在电路中与适当数值的电