光电成像技术Chapter7-电视型电真空成像器件成像物理导论.ppt

* 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 综合以上各种因素的考虑，在理论分析过程中常定义如下两个优值： 式中，cp是材料的体积比热容，ε是材料的介电常数；Qv是热电晶体电压响应率优值或第一优值；QI是热电晶体电流响应率优值或第二优值。根据不同的实际需要选择两个优值。表7-2各种材料的性能参数及优值。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 目前常用的热释电摄像管靶的主要材料： ①硫酸三甘肽TGS。特点是探测率高，热电系数大，η小，容易在水溶液中生长成大块晶体，且容易加工；但居里温度低，加入少量α-丙氨酸可改善。 ②钽酸锂。特点是居里温度高，不易退极化，且在低温和高温下有较好性能，化学稳定性好、机械强度高，工艺性较好，介质损耗低。 ③铌酸锶钡SBN。分子式是Sr1-xBaxNb2O6， η和ε都随x的增加而减小，居里温度随x增加而增加。在室温下， η很大但在x较小时不够稳定，且容易退极化；当x=0.52时性能较好且较稳定，同时具有抗声、抗压、抗振的优点。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 2. 热释电摄像管 热释电摄像管与普通光电导摄像管的异同： 相同点：结构上类似，以热释电靶代替光电导靶。 * 光电成像原理 * §7.4 热释电摄像管 相同点：结构上类似，以热释电