第四节 半导体光伏型检测器件 一、光电池 二、光敏二极管 三、光敏三极管 一、光电池1.光电池的工作原理 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电能的一种器件。 PN结的光生伏特效应:当用适当波长的光照射PN结时,由于内建场的作用,光生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于半导体内产生电动势(光生电压);如将PN结短路,则会出现电流(光生电流)。 光电池的结构特点 光电池核心部分是一个PN结,一般作成面积大的薄片状,来接收更多的入射光。 受光面有二氧化硅抗反射膜,起到增透作用和保护作用 由于光子入射深度有限,为使光照到PN结上,实际使用的光电池制成薄P型或薄N型。 光电池的结构 (二)特性参数 1、伏安特性 无光照时,光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。 有光照时,沿电流轴方向平移,平移幅度与光照度成正比。 结论: 光电池用作探测器时:以电流源形式使用,负载电阻愈小,线性度越好,线性范围越广。 光电池用作大功率输出时:以电压源形式使用,负载电阻为RL=RM时,可获得最大功率输出。 2、光谱特性(用单位辐射通量的不同波长的光分别照射时,光电池相对输出短路电流大小) 4、时间和频率响应 硅光电池频率特性好 硒光电
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