光电子学(第五章2)导论.pptVIP

光照不均半导体或半导体与金属组合不同部位产生电位差。 机理多，存在阻挡层。 光伏器件I-V特性： 结区 p n + + + + + + + + + - - - - - - - - - E 光 I V 短路光I 开路光V 光I 反向饱和I 暗I §5-1 物质中的光吸收 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-4 光辐射的探测方法 ① 光电导效应 ② 光伏效应 1. 外光电效应(光电子发射) 2. 内光电效应(光电导效应与光伏效应) 一、光电效应 二、光热效应 工作：开路，短路，反偏（光电导），正偏。 §5-1 物质中的光吸收 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-4 光辐射的探测方法 ① 光电导效应 ② 光伏效应 1. 外光电效应(光电子发射) 2. 内光电效应(光电导效应与光伏效应) 一、光电效应 二、光热效应 光伏效应 载流子激发-光子 载流子分离-内建E 光I： Id暗I，Is无光照反向饱和I，V加器件V（正+，反-）， k波耳兹曼常数，??1常数，T绝对T 另内光电效应。光照PN结出现。 无光照，结型半导体P和N区，空穴，电子浓度比结区大，浓度梯度使载流子扩展，N与P区积累空穴与电子，内建E，N?P 势垒eVD