模拟电路4.2节概念.ppt

4.2 半导体二极管 1.半导体二极管的结构和类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 1.半导体二极管的结构和类型 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性的测出。 2. 二极管的伏安特性 2. 二极管的伏安特性 ① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降 减小约2mV。 2. 二极管的伏安特性 ② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大： 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 3. 二极管的主要参数 最大整流电流IF 最大反向工作电压UR 反向电流IR 最高工作频率fM 4. 二极管的等效电路及应用 二极管特性曲线的非线性，给二极管电路的分析带来一定困难。为了简化分析，常常要做一些近似处理，可用某些线性电路元件来等效二极管，画出二极管的等效电路。 最常用的近似方法有二种。 ⑴ 理想二极管等效电路 如果二极管导通时的正向压降远远小于和它串联的电压，二极管截止时的反向电流远远小于与之并联的电流，则可以忽略二极管的正向压降和反向电流，把二极管理想化为一个开关，如图所示。 ⑵ 考虑正向压降的等效电路 在二极管充分导通且工作电流不是很大时，二极管的正向压降UD变化不大（例如硅管约为0.6~0.8V），因此近似认为二极管正向导通时有一个固定的管压降UD（硅管取0.7V，锗管取0.2V），于是可用一固定电压源来等效正向导通的二极管。 当外加电压UUD时，二极管不通，电流为零，相当于开路。 图中画出了这种近似等效电路。 ⑵ 考虑正向压降的等效电路 ⑶ 二极管电路的分析方法 二极管电路有两种基本分析方法。 图解法，其做法为：利用二极管伏安特性曲线，用做负载线的方法来分析电路。 计算分析法，其做法为：根据不同的条件利用二极管的等效电路来近似分析和计算电路。这种方法简便易行，误差较小，是常用的分析方法。 下面将结合例子来说明各种分析方法。 ⑶ 二极管电路的分析方法 由于二极管具有单向导电性，因此利用它可以进行交流电到直流电的转换。这样的电路叫整流电路(Rectifier Circuits)。图 (a)就是一个实用的单相桥式全波整流电路，常应用于直流稳压电源中。四个二极管Dl ~ D4接成电桥形式。 设交流电源u为： ⑶ 二极管电路的分析方法 在一般整流电路中，交流电压幅值Um都要远远大于二极管的正向压降UD，因此常近似为UD = 0，可以用理想二极管等效电路来分析电路的工作原理。 当交流电源u0时，二极管Dl、D3导通，相当于开关闭合；D2、D4截止，相当于开关断开，如图 (b)所示。因此输出电压uO = u。 ⑶ 二极管电路的分析方法 当u 0时，二极管D2、D4导通，Dl、D3截止，如图 (c)所示。因此uO =-u。 ⑶ 二极管电路的分析方法 这样无论在交流电源u的正半周还是负半周，负载RL两端的输出电压uO始终是上正下负；RL电阻中的输出电流iO始终是由A点流向B点。 对应于交流电源u的波形可以画出uO，iO及二极管中的电流iD的波形如图 (d)所示。 ⑶ 二极管电路的分析方法 那么桥式全波整流输出电压uO的平均值UO（即直流成分）为： ⑶ 二极管电路的分析方法 从前图中显见每个二极管都只在交流电源的半个周期内导通，所以流过每个二极管的平均电流ID均为IO的一半。即 ⑶ 二极管电路的分析方法 那么，设计选择二极管时必须满足下列条件： ⑶ 二极管电路的分析方法 图(a)是一个二极管组成的限幅电路(Clipping Circuit)。这种电路常用于有选择地传输信号波形的一部分，所传输的波形部分处在电路设定的参考电压以上或以下。 ⑶ 二极管电路的分析方法 电路中u为交流正弦电压信号。UR为直流参考电压源。D为普通二极管。现在用考虑正向压降的二极管等效电路来分析电路的工作情况。若D为硅管，则正向导通压降UD = 0.7V。从而得到图 (b)的等效电路。 ⑶ 二极管电路的分析方法 从图 (b)的等效电路可见，当u0且uUR+UD时，二极管D导通，开关闭合，输出电压UO = UR十UD。 当uUR+UD时，二极管D截止，开关断开，输出电压uO=u。 ⑶ 二极管电路的