半导体器件物理课.ppt

* §4.3 高效率太阳电池的发展 太阳电池的发展是以提高效率和降低成本为方向的，40-50年中单晶硅太阳电池的效率从6%提高到近25%，聚光条件下可达27%。 4.3.1 紫电池（浅结电池） 浅结（0.1~0.25μm）减少了“死区”，提高了少子的收集效率，改善了电池的短波响应。但要采用“密栅”来减小串联电阻。减反射膜的应用将进一步改善短波响应。 4.3.2 背表面场电池 背表面场的高低结有两个作用： 提高了电池的开路电压 高低结对p区光生空穴的反射和阻挡作用减少 了被表面的复合 * 4.3.3 绒面电池（减少表面光学反射技术） 硅对入射太阳光的反射可达30%以上，减少反射损失措施： 减反射膜技术（SiO2、Ta2O5、Nb2O5等） 表面绒面或微槽化（各向异性化学腐蚀） 光多次反射提高了光的利用率。 * 4.3.4 表面钝化技术 1984年新南威尔士大学采用5-10nm的薄SiO2减少了表面态密度和表面复合，改善了短波光谱响应，制成了η=19.1%的钝化发射极硅太阳电池（Passivated Emitter Solar Cell PESC）。随后1990年又发展了一种双面钝化发射极和背面定域扩散太阳电池（Passivated Emitter and Rear Local diffused PERL）1996年效率达到24%。 * 4.3.5