半导体器件物理课件第一章.pptVIP

按复合过程中载流子跃迁方式不同分为： 直接复合：是电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起电子-空穴的消失； 间接复合：指电子和空穴通过禁带中的能级(称为复合中心)进行的复合。 按复合发生的部位分为体内复合和表面复合。 伴随复合载流子的多余能量要予以释放，其方式包括发射光子(有发光现象)、把多余能量传递给晶格或者把多余能量交给其它载流子(俄歇复合)。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 5、非平衡载流子几种不同的复合形式： * 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 过剩载流子的产生与复合相关符号 * 1.5.2过剩载流子的性质 连续性方程 空穴连续性方程： 电子连续性方程： p表示空穴密度；t表示时间；FP+表示空穴粒子的流量(个/cm2s) ；gp表示空穴产生率；τpt包括热平衡载流子寿命和非平衡载流子寿命； * 1.5.2过剩载流子的性质 与时间有关的扩散方程 与时间有关的扩散方程 n0p0与空间时间无关 * 1.5.3双极输运 双极输运 外加电场 感应内建电场 带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散的现象称为双极输运。 * * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 本征半导体中究竟有多少电子和空穴？ n0表示导带中平衡电子浓度 p0表示价带中平衡空穴浓度