9光电式传感器22008.pptVIP

光学传感器 第五节 光敏二极管及其应用 第六节 光敏三极管及其应用 第五节 光敏二极管及其应用 光敏二极管(photodiode) 的基本工作原理是当光照射半导体的PN结时，在反向电压的作用下，其反向电流随光照强度变化而变化，由此来实现将光信号转换成电信号的功能 光敏二极管的结面积较大，安装在管子顶部以 接受光的照射，结的深度较浅 5.1 光敏二极管结构原理与等效电路 * P N R E + - If P N R E - + Is 在无光照时，外加反向工作电压使光敏二极管的PN结电 荷区增宽。电路中由于少数载流子的运动而形成了很小 的反向漏电流，称为光敏二极管的暗电流 I P N R E - + 光照射光敏二极管时，光子打在PN结附近，使空间电荷 区产生电子一空穴对，它们在外电场的作用下与P区和N 区的少数载流子作定向运动而形成电流，此时的电流要 比无光照时的漏电流大的多 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I N 偏压 输出端 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 P+ I N PIN光电二极管 雪崩式二极管 光谱特性 0.9μm 5.2 光敏二极管特性 光照特性 温度特性 伏安特性 5.3 光敏二极管的典型应用电路 第六节 光敏三极管及其应用 6.1 光敏三极管的结构和原理 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍 c b e RL 6.2 光敏三极管的特性 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 光谱特性 1.0 2.0 3.0 200 400 600 800 1000 Lx 0 I(μA) 光照特性——光电流 0 1 2 3 4 5 外加电压（V） 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500Lx 1000Lx 500Lx 伏安特性 暗电流（mA) 10 30 50 70 0 25 50 oC 200 400 100 300 500 光电流（ μ A) 10 30 50 70 0 oC 温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿 6.3 光敏三极管典型应用电路 光敏三极管在生物医学测量中的应用 典型应用——血氧饱和度测量 血氧饱和度：指血液中单位体积内氧合血红蛋白（HbO2）的数量与血红蛋白（Hb+HbO2）的总数之比 血红蛋白（Hb）和氧合血红蛋白（HbO2）对不同波长的光有着不同的吸收系数。对波长为805nm左右的光，两者吸收率相等，对波长为660nm左右的光，两者吸收率相差最大 第八节 光电耦合器件 发光器件一般选用发光二极管，光敏器件可用光敏二极 管、光敏三极管 8.1 光电耦合器件的结构原理 输入特性参数 光电耦合器件的输入元件是发光二极管，因此其输入特性参数有：最大工作电流IFM、正向压降VF、反向漏电流IR 输出特性参数 输出电流io（光电流）：向光电耦合器的输入端注入一定的工作电流（一般10mA），使发光二极管发光，在此情况下，接有一定的负载（约500?），并加一定电压（通常为10伏）的光电耦合器输出端所产生的电流 饱和压降Vces：在输入端加一定电流，输出侧加一定电压，接入负载电阻后，光耦合器两输出端之间的压降 8.1 光电耦合器件的结构原理 传输特性 电流传输比CTR：在直流工作状态下，光耦合器的输出电流io与输入电流iF之比，称为其电流传输比CTR（或称转换效率） 传输线性 传输特性 传输速度：光耦合器的传输速度是指信号由输入至输出所需要的传输时间，有时也用响应时间来描述，包括：延迟时间to，上升时间tr和下降时间tf 隔离特性：光电耦合器由于输入与输出间是通过光来耦合的，输入与输出间有完全的电气隔离，但由于结构材料的影响以及难免的漏电和分布电容的存在，使输入与输出间的隔离特性不完全 8.2 光电耦合器件的应用电路