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光刻基础工艺培训 一、光刻工序的工艺目的及要求 1、工艺目的： 光刻是一种通过某种方法从而在硅片上得到人为需要的、有特定要求图形的一门技术。 2、工艺要求： 在晶体管制造过程中必须要经过多次光刻，每次光刻图形的质量要求为：图形完整、尺寸精确、线条陡直、窗口刻蚀干净；每次光刻图形的好坏将决定产品的成品率、性能、可靠性。 二、光刻工序使用化学材料 光刻工序主要使用的材料有：HMDS液、光刻胶（正、负）、显影液（正、负）、漂洗液（正、负）、SiO2腐蚀液、铝腐蚀液、SH去胶液、OMR剥离去胶液、浸润剂等等，这些化学试剂基本是有毒性有腐蚀性的，因此我们在使用这些化剂之前有必要首先了解它们的特性和使用方法。 三、光刻工艺流程 3.1受入 受入主要是接受上工序的来片时检查准备光刻的硅片的流程、片数等是否正确，以及硅片的表面是否正常（要求无划伤、沾污、颜色一致） 3.2前处理 前处理主要是硅片表面干燥以及硅片表面气相成底膜处理，这种方法可以有效提高光刻胶在硅片表面的粘附性。 原理： 目前采用圆片置于HMDS蒸气环境下的方式。 3.3、光刻胶的涂敷及前烘 A、光刻胶的涂敷主要是为了在硅片表面得到一层厚度均匀、表面平整、无杂质的感光涂层，这层光刻胶膜的好坏直接影响图形复印的质量，人为的沾污、光刻间的洁净度、温度、湿度对硅片表面影响最大，所以光刻胶的涂敷及前烘都是自动完成的。