5全控型电力半导体器件.pptVIP

第五章.全控型电力半导体器件 5.1.门极可关断晶闸管（GTO） 5.1.1.结构特点和关断原理 1）.结构特点 5.1.3.缓冲电路 利用电感阻止电流变化和电容端电压不能突变特性组成的基本缓冲电路如下图虚线框内所示： 5.2.电力晶体管（GTR、PTR） 2）.缓冲电路 加了续流二极管虽然能在开关过程中把Uce限制在电源Ud值，但由于在开关瞬间IC不变，工作点仍有冲出安全工作区的危险。为了保证GTR的安全工作，还需设置缓冲电路。GTR的缓冲电路除和 SCR和 GTO缓冲电路一样能降低附加于器件的浪涌电压、du／dt和di／dt，减少器件的开关损耗外，还可改变开通和关断轨迹即动态负载线，以避免GTR的二次击穿。 GTR常用的基本缓冲电路和GTO一样，其中LS是串联缓冲电感，用以限制GTR通时的电流上升率，起到改善开通负载动态轨迹的作用；CS、RS和VDS构成并联缓冲器，主要在GTR关断时限制uce的上升率，以便使工作点轨迹在安全工作区内。 5.3.电力场效应晶体管（P-MOSFET） 5.3.1.结构和工作原理 1）.结构 5.5.其他全控型电力电子器件 5.5.1静电感应晶体管(SIT) 5.5.2.静电感应晶闸管（SITH） 6.5.复合电力半导体器件 5.4.绝缘栅双极晶体管（IGBT） 5.5.3.金属氧化物可控晶闸管（MCT） 5.8.电力半导体器件和装置的保护 5.8.1.常规的过压、过流保护 （2）RC电路 电容具有储能作用，其端电压不能突变，可用于快速吸收产生过电压的能量。串联电阻则能消耗产生过电压的能量，并起阻尼作用，防止C与线路分布电感形成振荡，并且还能限制当开关器件导通时由C放电引起的di／dt及浪涌电流。 2）.过电流保护 过电流除指工作电流超过允许值外，还广义地包含过载和短路两种情况。 过载含有电流超过的时间概念，即过流倍数小，允许时间长；过流倍数大．允许时间短。短路则是最严重的过流情况。 5.8.2.用电子线路实施保护 2）.一般方法 用电子线路实施保护，通常是指利用电子元件组成具有继电特性的电路来实现保护，它一般包括检测、比较和执行等环节。 捡测，即测量器件或装置的各种故障信号，将它们变成电压，然后通过一电压比较器，与设定信号（电压）进行比较，如超出阈值，则比较器翻转，发出信号，执行保护功能（一般是封锁触发或驱动信号，关掉功率开关），并以声或光报警。 图7.16为交直交逆变器的一种过压保护电路： 图7.18为过热保护电路，它以装在功率器件散热器上、具有正温度系数的热敏电阻RT来反映温度信号。当温度超过设定值时，比较器N翻转，执行保护动作。 GTO是由几百至几千个SCR并联而成。 抑制di／dt 抑制u、du／dt 为减少导通损耗，必须采用过驱动，使GTR进入深饱和；为了可靠而迅速地关断，通常在关断时使基极反偏，注入反向基流。 电力MOSFET和小功率MOSFET导电机理相同，但结构有很大区别，且每个电力MOS都由许多（104～105）个小单元FET并联而成。 2）.工作原理（略） 左图是非线性元件在交流侧作过压保护的接法。并接于线电压之间的元件用于抑制三相输入电源差模浪涌电压；相地间的元件则可抑制对地的共模电压。