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单片机与嵌入式系统 第五章 单片机：存储器扩展 王浩 副教授 中南大学信息科学与工程学院 程序存储器ROM的扩展 数据存储器RAM的扩展 第章单片机系统扩展 本章内容 Single Chip Microcomputer 5.1 程序存储器ROM的扩展 8051有片内ROM的容量：4K 片外最大可扩展64K ROM。 有关的管脚：EA 片内资源 可用来扩展的存储器芯片： EPROM：2716（2K*8），2732，2764，27256等 EEPROM：2816 （2K*8） ，2864，28128等 还要用到锁存器芯片：例74LS373。 存储器 2716 2816 其引脚功能如下： A0～Ai 地址输入线。 Q1～Q8 三态数据线； ＣＥ 片选信号输入线，低电平有效； ＯＥ 读选通信号输入线，低电平有效； ＶＣＣ 工作电源，电压为＋５ Ｖ； GND 线路地。 存储器读访问时序 图8－25 89C51扩展的 并行三总线 图8－26 89C51地址总线 扩展电路 74LS373 读外部程序存储器时序 注意：上述时序是在取指令过程中自动产生 在8031单片机上扩展4KB EPROM 地址范围的确定 取决于CE（片选）和地址线的接法，本例中CE接74LS138译码器的输出/Y0。 5.2 数据存储器RAM的扩展 8031片内RAM的容量：128B 片外最大可扩展64K RAM。 片内资源 可用来扩展的存储器芯片：SRAM 6116，6264，62256等 也要用到锁存器芯片：例74LS373。 认识芯片 图8－27 常用静态RAM芯片引脚图 其引脚功能如下： A0～Ai 地址输入线，i=10(6116),12(6264),14(62256)。 D0～D7 双向三态数据线； ＣＥ 片选信号输入线，低电平有效，当6264的26脚(CS)为高电平，且ＣＥ为低电平时。才选中该片； ＯＥ 读选通信号输入线，低电平有效； ＷＥ 写允许信号输入线，低电平有效； ＶＣＣ 工作电源，电压为＋５ Ｖ； GND 线路地。 这3种RAM电路的主要技术特性见表8－5。 读/写外部数据存储器时序 图8－28 89C51访问片外RAM操作时序图 存储器 * * * *