第2章：氧化.pptVIP

■ 椭偏仪 - 测量薄膜厚度非常精确 - 原理类似膜厚仪，只是测量的是反射光平行 和垂直方向偏振强度的变化 ■ 台阶仪 - 需要刻蚀掉部分薄膜才能测量 - 竖直方向台阶测量非常精确 2.3 SiO2结构、性质和用途 集成电路SiO2的原子结构： 属于非晶体、无定形结构，Si-O 四面体在空 间无规则排列。 物理性质 Si SiO2 比重（g/cm3） 2.23 2.20 禁带宽度（eV） 1.12 ~ 8 相对介电常数 11.7 3.9 熔点（℃） 1414 1700 热导（W/cm.k） 1.5 0.01 击穿场强（V/cm） 3 × 105 6 × 106 ■ SiO2的物理性质 SiO2的化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 SiO2在集成电路工艺中的用途 1. 栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） 2. 场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） 3. 保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） 4. 注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂 （热生长） 5. 垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） 6. 注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） 7. 层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积） 1. 栅氧层： 热生长方法形成（干法） 2