磁记录薄膜和光存储薄膜资料.pptVIP

7.5磁记录薄膜和光存储薄膜 报告人：赵定武 7.5.1复合磁头和薄膜磁头 7.5.2磁记录介质薄膜及制造技术 7.5.3光存储介质概况 7.5.4磁光存储和相变光存储 磁性存储技术在现代技术中举足轻重。由于磁信号的记录密度在很大程度上取决于磁头缝隙的宽度、磁头的飞行高度以及记录介质厚度，因此就需要不断减小磁头体积和磁记录介质厚度。薄膜自身饱和磁化强度较高，允许采用的磁性介质厚度更小，性质也更均匀，因此薄膜磁头材料和薄膜磁存储介质是发展的主要方向之一。 对于磁头材料，需要其具有典型的软磁特性，即饱和磁化强度高，矫顽力低，磁导率高，磁致伸缩系数低，允许使用频率高。 对于磁记录介质，要求其具有典型的硬磁性能，即饱和磁化强度高，剩余磁感应强度高及适当的矫顽力水平。 通常的磁头使用的是高导磁率的烧结铁氧体，具有很好的软磁性能和耐磨性，电阻率高，高频性好。但磁化强度远远低于合金软磁材料。如右表。 为进一步提高磁头性能，一方面可采用电镀、溅射、蒸发等方法，在上述磁头间隙处沉积一层厚度为几微米的软磁性能较好的合金薄膜；另一方面完全采用薄膜技术，将磁性材料和磁场线圈都沉积在特定衬底上。采用薄膜技术制备的磁头具有较高灵敏度，缩小尺寸，提高记录密度 7.5.1复合磁头和薄膜磁头 材料 性能 Mo-坡莫合金 热压Mn-Zn铁氧体 Fe-Si-Al合金 饱和磁通密度/