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光敏二极管的电压特性研究 Voltage characteristic research for Photosensitive Diode 摘要 光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性，对于光敏器件来说，其反向击穿特性至关重要。本文首先对光敏二极管的结构、工作原理及分类标准进行了概述，从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管的电压特性研究工作。通过实验验证及器件工艺的模拟仿真，分别采用快速退火、改进表面清洗工艺、掺氯氧化工艺、采用合理的淀积温度及速率、采用双层膜结构或热退火工艺等方式改善和提高光敏二极管的电压特性。通过研究其反向击穿电压特性,保证其电压参数的同时，可以有效地提升产品其它参数如暗电流、光生电压等的控制水平。 Abstract Photosensitive diode is the case that the external reverse bias is applied to reflect its photoelectric conversion characteristics, for the photosensitive device, its reverse breakdown characteristics is essential. In this article, the structure, working principle and classification standard of photosensitive diode are summarized，and the voltage characteristics of the photosensitive diode are studied from the aspects of Shallow Photosensitive area, process defect, surface stress and structure. By the simulation of the device process and experiments，The Rapid annealing process、improved surface cleaning process、chlorine oxidation process、reasonable deposition temperature and rate、the use of double layer film structure or thermal annealing process are introduced. At last，by studying the characteristics of the reverse breakdown voltage and ensuring that the voltage parameters are not the problem, we can improve effectively the control level of the other parameters, such as dark current and light voltage，etc。 关键词：反向击穿电压；光电流；暗电流；浅结光敏区；层错缺陷；晶格缺陷；离子沾污；表面应力； Key words：Reverse breakdown voltage; photocurrent; dark current; Asayui Hikarumiku; stacking fault defects; crystal defect; ionic contamination; surface stress; 中图分类号：TN4 文献标识码：A 文章编号： 光敏二极管与普通二极管一样，它的PN结具有单向导电性，因此，光敏二极管工作时应加上反向电压，如图所示。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为110-8～110 -9A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子一空穴对这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。目前使用最多的是Si光电二极管2CU和2DU两种系列。如图1所示，2CU系列以N-Si为衬底，有两个引出线 ，2DU系列以P-Si为衬底，有三条引出线