薄膜物理2-2蒸发源的蒸发特性及膜厚分布.ppt

环状平面蒸发源的膜厚分布如图2—11所示。选择适当的R与h比时，在蒸发平面上相当大范围内膜厚分布是均匀的。如在R／h＝0.7一0.8时，膜厚分布就比小平面蒸发源(曲线S)要均匀得多。对于一定的R，可由式(2—40)计算出源—基距为h平面上的膜厚分布。 五、球曲面基板上的膜厚分布 当蒸镀面积较大时，为获得镀层的膜厚有较好的均匀性，除了选择合适的蒸发源以及采用旋转基板架外，还可使基板处于球面分布状态。图2—1 2示出了这种情况下的发射特性。这是实际生产中的一种重要选择。因为不论采用静止的或旋转的球曲面，其上的膜厚分布都比面积相同的平板情况有较好的均匀性。由于计算过程相当繁杂，这里仅列出简化处理的结果。 根据图2—12所示几何尺寸，引入以下缩写 由此，可得出下列方程式。由于转动中心为膜厚t0的归一化点。故相应的距离和角均加注下标0。 (2-43) (2-44) (2-45) 将式(2—43)、(2—44)和(2—45)代入计算膜厚t的基本方程式 （2-46） 故在旋转中心处归一化，所得到静止球曲面的膜厚分布为 （2-47） 另外，积分方程(2—47)，便可得到旋转球曲面上厚度的径向分布t／t0=f(γ)。 (2-48) 式中，k3＝k1k2n，k1＝[1十(g／h)2](n+3)/2，k2＝1一(R／h)(1一cosφ) 对于不同的n值，即不同的蒸发器形状，膜厚分布结果不同： n=1，cos-1-蒸发器： (2-49) n=3，cos-3-蒸发器： (2-50) n=5，cos-5-蒸发器： (2-51) 球曲面上的膜厚分布与蒸发源的各种余弦指数n的关系如图2-13所示。一般，蒸发源的几何位置容易确定，但蒸发器形状指数n由于受蒸发工艺影响很大，则必须通过实验才能确定。 六、实际蒸发源的发射特性 利用上述几种蒸发膜厚的公式，结合具体所用蒸发源，按其各自的发射特性，可对膜厚进行近似的计算。 发针形蒸发源或电子束蒸发源中的熔融材料为球形，与点蒸发源近似。舟式蒸发源中，若蒸发料熔融时与舟不浸润，从舟中蒸发时也呈球形，但位于舟源表面处的蒸发料，使原来向下蒸发的粒子重新向上蒸发，故与小平面蒸发源近似。蒸发料润湿的螺旋丝状蒸发源是理想的柱形蒸发源。锥形篮式蒸发源在各圈间隔很小时，其发射特性与平面蒸发源近似。坩埚蒸发源可看成表面蒸发源或高度定向的蒸发源。磁控靶源可看成大面积(平面或圆柱面)蒸发源。 蒸发源的发财特性是比较复杂的问题，为了得到较均匀的膜厚还必须注意源和基板的配置，或使基板公转加自转等。 七、蒸发源与基板的相对位置配置 1．点源与基板相对位置的配置 如图2—14所示，为了获得均匀的膜厚，点源必须配置在基板所围成的球体中心。式(2.25)中的cosθ＝1时，t值为常数，即 (2-52) 在这种情况下，膜厚仅与蒸发材料的性质、半径r值的大小以及蒸发源所蒸发出来的质量m有关。这种球面布置在理论上保证了膜厚的均匀性。 2．小平面源与基板相