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北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称：模拟电子技术 2007-2008学年第二学期 出题教师：集体 班 级： 学生姓名_________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人 一、填空（15分） 变容二极管在利用其变容特性工作时，应使变容二极管工作在_____________工作状态。 MOS管是______________器件，小信号工作时可以等效成______________源。 _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 NMOS管的衬底是_______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位_______的电位上。 二极管的V-A特性和工作范围如图1所示，工作点在Q，试求二极管的直流电阻Rbe的电阻值是______________和交流电阻rbe的电阻值是______________。 图1 在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是_______，不能放大电压、可以放大电流的是_______，输入电阻最小的是_______，输出电阻最小的是_______。 结型场效应管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大。 解答： 反向偏置；或反向电