南邮模拟电子线路第1章分解.pptVIP

模拟电子技术 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 解：当Ui , RL变化时，Ｄz中电流IZ 应满足 图1.4.2 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo 何时IZ 最小？何时IZ 最大？ 即 1. 当Ui=Uimin , RL=RLmin时, IZ 最小，此时应有 R IL IZ VZ RL Ui Uo 2. 当Ui=Umax ,RL=RLmax时, IZ最大，此时应有 即 R IL IZ VZ RL Ui Uo Rmin R Rmax 因此，可得限流电阻的取值范围是： 小 结 2. PN 结是现代半导体器件的基础。它具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。 1. N型半导体中，电子是多子，空穴是少子； P型半导体中，空穴是多子，电子是少子；多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度很小且随温度的变化而变化。 3. 半导体二极管由一个PN结构成，大信号应用时表现为开关特性。 4.利用PN 结的击穿特性可制作稳压二极管。用稳压二极管构成稳压电路时，首先应保证稳压管反向击穿，另外必须串接限流电阻。 作 业 1.3 1.4 1.7 1.9 1.10 1.11（1）（2） 1.1（1）（2） 1.6 +4 +4 +4 +4 价 电 子 图1.1.2 单晶硅和锗共价键结构示意图 共价键(Covalent Bond) +4 +