第3章场效应管4资料.pptVIP

4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA 场效应管 的符号及 特性 (p76） 结型N沟道 结型P沟道 NMOS增强型 NMOS耗尽型 PMOS增强型 PMOS耗尽型 （+） （+） （+） （+） （-） （-） （-） （-） 测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它 们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态 （截止区、恒流区、可变电阻区）。 管号 UGS(th)/V Us/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 T2 -4 3 3 10 T3 -4 6 0 5 恒流区 截止区 可变电阻区 3.1.3 场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流ID所需的栅-源电压UGS的最小值 它是增强型MOS管的参数。（NMOS管为正，PMOS管为负） （2）夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数（NMO