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光电效应 ---光电子和荧光X射线 光电效应1 激发K系光电效应时，入射光子的能量必须等于或大于将K电子从K层移至无穷远时所作的功WK，即 将激发限波长λK和激发电压VK联系起 ，即 式中VK以V为单位。（1－4）式和（1－11）式形式上非常相似，但物理意义完全不同。前者说明连续谱的短波限λ0随管电压的增高而减小，而后者说明每种物质的K激发限波长都有它自己特定的值。 从X射线激发光电效应的角度，称λK为激发限；然而，从X射线被物质吸收的角度，则称λK为吸收限。 光电效应2----- 俄歇效应 俄歇（Auger，M.P.）在1925年发现，原子中K层的一个电子被打出后，它就处于K激发状态，其能量为EK。如果一个L层电子来填充这个空位，K电离就变成L电离，其能量由EK变成EL，此时将释放EK-EL的能量。释放出的能量，可能产生荧光X射线，也可能给予L层的电子，使其脱离原子产生二次电离。即K层的一个空位被L层的两个空位所代替，这种现象称俄歇效应. 从L层跳出原子的电子称KLL俄歇电子。每种原子的俄歇电子均具有一定的能量，测定俄歇电子的能量，即可确定该种原子的种类，所以，可以利用俄歇电子能谱作元素的成分分析。不过，俄歇电子的能量很低，一般为几百eV，其平均自由程非常短，人们能够检测到的只是表面两三个原子层发出的俄歇电子，因此，俄歇谱仪是研究物质表面微区成分的有力工具。 光电