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目 录
设计指标要求..........................................................................................2
1.任务.........................................................................................................2
2.特性指标要求.........................................................................................2
3.结构参数参考值.....................................................................................2
4设计内容.................................................................................................2
MOS器件特性分析................ ................................................................3
1.NMOS的参数设计与计算 .................................................................3
2.PMOS的参数设计与计算.... ...............................................................4
工艺流程分析......................................................................... ................5
1.工艺流程框图.......................................................................................5
2具体工艺流程分析...............................................................................5
掺杂工艺参数计算.................................................................................14
1.形成N阱的工艺参数计算.................................................................14
2.NMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件......................................15
3.PMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件.......................................16
4.氧化层厚度的计算及验证...................................................................17
5.生长多晶硅栅膜...................................................................................18
6.生长垫氧化层.......................................................................................19
7.生长场氧...............................................................................................19
8.生长栅氧化层.......................................................................................19
9.氮化硅...............................................................................................
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