电子科大微机原理chapter5习题解答.docVIP

5.10 用16K×位的DRAM芯片组成64K×位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。(2) 设存储器读/写周期为0.5μS, CPU在1μS内至要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？（1）N=（64K）（）=（片）每片组成16K×位的存储区， A13A0作为片内地址，用A15A14经2:4译码器产生片选信号 ，逻辑框图如下 　（2）设16K×8位存储芯片的阵列结构为128行×128列，刷新周期2ms。因为刷μS，则两次（行）刷新的最大时间间隔 为保证在1μS内μS给CPU访问内存，采用异步刷新方式存储器读/写周期1μS，前0.5μS用于读写，后0.5μS用于刷新。相当于每1μS刷新一行，刷完一遍需要128×1μS＝128μS，满足刷新周期小于2ms的要求； 若采用异步刷新则两次刷新的时间间隔μS。如每隔14个读写周期刷新一行，相当于每15μS刷新一行，刷完一遍需要128×15μS＝1920μS，满足刷新周期小于2ms的要求； 需要补充的知识： 刷新周期从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止刷新周期通常2ms，4ms或8msDRAM一般是按行刷新，常用刷新方式 集中式正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。 特点：存在一段停止读/写操作的死时间适用于