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湿法刻蚀 工艺目的：通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结，以达到正面和背面绝缘的目的，同时去除正面的磷硅玻璃层。 工艺材料：合格的多晶硅片（扩散后）、H2SO4（98%，电子级）、HF（40%，电子级）、KOH（50%,电子级）、HNO3（65%，电子级）、DI水（大于15 MΩ·cm）、压缩空气（6 bar，除油，除水，除粉尘）、冷却水（4 bar）等。 工艺原理：Rena Inoxide刻蚀工艺主要包括三部分：硫酸、硝酸、氢氟酸 氢氧化钾 氢氟酸本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 反应方程式如下： 工艺流程：上料→,,混合酸液腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→DI水冲洗→腐蚀→风刀3→DI水冲洗→压缩空气风干→下料工艺条件：去离子水压力为4、压缩空气压力为6环境温度：25±3℃相对湿度：40%～60% ，无凝露 腐蚀槽温度：6-9℃酸碱槽温度：25±5℃左右 主要控制点：1、腐蚀深度控制在1.2±0.2之间 2、刻蚀线宽度≤1mm3、绝缘电阻≥1。以