《数字电子技术基础》第6章.半导休存储器.ppt

6.1 概述 6.2 随机存储器（RAM） 6.3 只读存储器（ROM） 第6章 半导体存储器 衡量存储器性能的重要指标是存储容量和存取速度。存储一位二进制信息为一个单位，称为1bit。存储容量就是单片芯片存储的bit数量，例如，芯片内集成了1024bit，称为1Kb。目前有的存储容量已经超过了1Gbit，如动态存储器HY5PS1G831的容量为1G128 M×8）。 6.1 概述 随机存储器可以随时在指定的存储单元将数据存入（称写入）和取出（称读出）。其特点是使用灵活，读、写方便。电源维持供电，存储的数据就能保持，一旦失去电源供电，所存储的数据立即丢失，属于易失性元件。 6.1 概述 2）地址译码器 3）读/写控制电路 1）存储矩阵 6.2 随机存储器（RAM） 6.2.1 静态随机存储器（SRAM） 1.组成结构 1）工作原理 图6.2.5中VT0、VT1、VT2及VT3构成RS锁存器，用来存储二进制信息。VT4及VT5是行选管，行地址译码器控制其导通与断开。行控制线的延长虚线同时控制同一行字线的其他数据存储单元。 图6.2.5 六管NMOS静态存储单元 6.2 随机存储器（RAM） 2.SRAM存储单元 2）读写时序 （2）写操作。 （1）读操作。 3）其他SRAM 6.2 随机存储器（RAM） （1） （2） （3） 集成密度。 芯片功耗。 外围电路。 6.2 随机存储器（RAM） 6.2.2 动态随机存储器（DRAM） 6.2 随机存储器（RAM） 1.四管动态存储单元 图6.2.9 四管动态存储单元 1）写数据 2）读数据 6.2 随机存储器（RAM） 2.单管动态存储单元 图6.2.11 DRAM 2116结构框及引脚 6.2 随机存储器（RAM） 6.2.3 集成RAM及扩展 1.SDRAM 2116 1)字扩展 2)位扩展 6.2 随机存储器（RAM） 2.RAM的字、位扩展 例6.3.1 给出图6.3.2中存储矩阵MOS管浮栅上的有无电荷情况，如表6.3.1第3列所示，试在表6.3.1 右边写出存储矩阵的存储数据情况。 解：图6.3.2存储矩阵中的MOS管的浮栅是实框表示有电荷存在，当字线为高电平（正常的电压）时，MOS 管不导通，对应的数据线输出高电平“1”。而存储矩阵中的MOS管的浮栅是空框表示无电荷存在，当字线为高电平（正常的电压）时，MOS管导通，对应的数据线输出低电平“0”。如当地址码A3A2A1A0＝0000时，通过地址译码器，使字线P0＝1，将字线P0上的MOS管存储电荷的顺序是“有无有有有有无无”，对应的三态输出缓冲电路的数据D0～D7即十进制数据为188，填入表6.3.1的最右边的两列。若改变地址码A3A2A1A0时，则选中的字线不同，将输出不同的存储数据。表6.3.1是地址对应的字线、浮栅电荷以及字线上的存储数据。 6.3 只读存储器（ROM） 6.3.1 ROM的基本机构 表6.3.1 图6.3.2数据图 6.3 只读存储器（ROM） 例6.3.2 用EPROM8K×8的2764扩展为16K×16的存储器。 解：(1)显然字的容量不满足要求，需要将字线扩展1倍，需要增加1片2764。并用非门的输入、输出信号分别控制两片2764的片选信号E，其他信号并接。 （2）数据位的容量同样也不满足要求，需要将位线加倍扩展，再增加1倍（两片）2764。在步骤(1)的基础上，重新排列数据信号，原数据信号排列不变，新增的两片数据线数据排为D8～D15，使数据线由8位扩为16位，其他信号全部并接。 连接的扩展为16K×16的存储器如图6.3.4所示。 6.3 只读存储器（ROM） 6.3.2 集成ROM及扩展 图6.3.4 EPROM 2764地址位、数据位扩展 6.3 只读存储器（ROM） 本章小结 当今数字图像、数字信息量越来越庞大，因此需要处理的数据越来越多，要求存储这些数据的存储器的集成度越来越高、速度越来越快，经济合理选择存储器越显得重要。 不可能将非常大容量的存储器的每个单元都引出数据输入/输出端，因此需要地址指针。只有地址指针指向的那些存储单元可以进行读/写数据信息操作。如果数据位线较多时可以采用分时读/写操作。 当采用的存储芯片数据线或存储的地址不够用时，可以采用多片级联或并接进行数据扩展或地址扩展，也可同时进行地址、位扩展。 第6章 半导体存储器 本章小结 目前随机存储器绝大部分是在时钟控制下工作的同步随机存储器，最新的同步随机存