失效分析3.ppt

2去除钝化层的方法： 化学腐蚀（各向同性） 等离子腐蚀PIE （各向同性） 反应离子刻蚀RIE（各向异性） 各向同性腐蚀和各向异性腐蚀 1.7.3去除金属化层技术 用途： 观察CMOS电路的氧化层针孔和Al－Si互溶引起的PN结穿钉现象，以及确定存储器的字线和位线对地短路或开路的失效定位 配方： 30％的硫酸或盐酸溶液，30～50℃，该配方不腐蚀氧化层和硅。 1.7.4机械剖切面技术 一般步骤： 固定器件（石蜡、松香和环氧树脂Epoxy） 研磨（毛玻璃、粗砂纸） 粗抛光（金相砂纸） 细抛光（抛光垫加抛光膏） 染色 金相观察 测量结深的抛光染色图片 1.8显微形貌像技术 光学照片与SEM照片对比 1.9基于测量电压效应的失效定位技术 1.9.1、扫描电子显微镜的电压衬度像 工作原理 ：电子束在处于工作状态下的被测芯片表面扫描，仪器的二次电子探头接收到的电子数量与芯片表面的电位分布有关。从而得到包含器件中电极的电势信息的SEM图象（IFA Image－based Failure Analysis）。 判定内容：芯片的金属化层开路或短路失效。 1、某芯片的电压衬度像 2、应用电压衬度像做失效分析实例 现象描述：4096位MOS存储器在电测试时发现，从一条字线可以存取的64个存储单元出现故障，现只能存储“0”信号。 初步推断：译码电路失效，译码器与字线之间开路，0V或12V的电源线短路。 电压衬度像分析：照片中发现一处异常暗线，说明其电压为12V，而有关的译码器没有异常，说明字线与12V电源之间存在短路。由二次电子像证实，在铝条字线与多晶硅电源线之间的绝缘层中有一个小孔。 1.9.2芯片内部节点的波形测量 机械探针台 EBT测试原理 EBT在线检测的芯片照片 局部放大图片 有信号时的图象 无信号时的图象 1.10基于测量电流效应的失效定位技术 1、显微红外热像分析技术 2、液晶热点检测技术 3、光辐射显微分析技术（PEM） (Photo Emission Microscope) 1.10.1显微红外热像分析技术 1、测试原理： 芯片通电过程中会发热，由于芯片各部位电流强度不同，导致芯片表面温度不同，红外热像仪扫描整个芯片，可以获得芯片温度分布图。输出图的颜色对应该点的温度。 2、仪器性能指标： 热分辨率0.1℃,空间分辨率5um，测温范围30℃～550℃,最灵敏温度范围80℃～180℃。 10.2 液晶热点检测技术 1、什么是液晶： 液晶是一种既具有液体的流动性，又具有晶体各向异性的物质。它具有一个独特性质，当温度高于某一临界温度Tc时，就会变成各向同性。 2、液晶热点检测设备要求 偏振显微镜（长工作距离） 温控样品台（温度精度0.1 ℃） 样品的电偏置（prober或packaged device） 液晶热点检测的特点 1、速度快，大概10分钟就能做一次分析。 2、空间分辨率（1um）和热分辨率（3uw） 3、适用不良种类： 确定芯片能耗分布，确定漏电通道，PN结内不规则的电流分布，CMOS电路闩锁区域等 3、液晶热点检测的关键技术 显微镜在正交偏振光下观察，提高图象对液晶相变的灵敏度 应控制样品温度在临界温度上下反复变化，以便找到合适的工作点 检测时若偏置电压偏高，图象会变模糊，可改用脉冲偏置电压以改善图象质量 10.3 光辐射显微分析（PEM） 3、显微红外热像仪的应用 主要是功率器件和混合集成电路 3、适用范围： 漏电结、接触尖峰、氧化缺陷、栅针孔、静电放电（ESD）损伤、闩锁效应（Latch up）、热载流子、饱和晶体管及开关管等 4、缺点： 有些光辐射是正常的器件，如饱和晶体管，正偏二极管等。 有些很明显的失效并不产生光辐射，如欧姆型短路等。 还有些缺陷虽产生辐射，但由于在器件的深层或被上层物质遮挡，无法探测。 5、优点： 操作简单、方便，可以探测到半导体器件中的多种缺陷和机理引起的退化和失效，尤其在失效定位方面具有准确、直观和重复再现性。 无需制样，非破坏性，不需真空环境，可以方便的施加各种静态和动听过的电应力。 精度：几十PA/um2，定位精度为1微米。 另外还有光谱分析功能，通过对辐射点的特征光谱分析来确定辐射的性质和类型。  1.11 电子元器件化学成份分析技术 1、重要性： 器件失效主要原因是污染（颗粒污染和表面污染），确认污染源是实施改进措施的先决条件。 另外，界面之间原子互扩散也会引起特性退化和失效，也许要化学分析确认。 2 常用电子元器件化学成份分析技术 硅胶内异物 X射线能谱分析（EDAX）结果 二、电子