微电子器件及工艺课程设计工艺部分.pptVIP

晶体管的结构 双极晶体管结构及版图示意图 自对准双多晶硅双极型结构 课程设计要求 制造目标：发射区、基区、收集区的掺杂浓度；发射结及收集结的结深；基区宽度；收集结及发射结的面积 总体制造方案：清洗→氧化→光刻（光刻基区）→硼预扩散→硼再扩散（基区扩散） → 去氧化膜→ 氧化工艺→光刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测 工艺参数设计：设计的基本原理，基本公式，工艺过程。；发射区和基区的扩散温度、扩散时间及相应的氧化层厚度，氧化温度及时间。 晶体管的结构图及版图：版图标准尺寸为4inchX4inch，版图上有功能区及定位孔，包括基区版图、发射区版图，接触孔版图（发射极及基极）及3张版图重合的投影图。 设计报告 目录 设计任务及目标 概述－发展现状 工艺流程 设计基本原理及工艺参数设计 设计参数总结 版图 心得体会 参考书 报告书约20~30页，A4纸 参考书 微电子制造科学原理与工程技术，电子工业出版社，Stephen A Campbell著 半导体制造技术，电子工业出版社，Michael Quirk，Julian Serda著 微电子技术工程，电子工业出版社，刘玉岭等著 晶体管原理与工艺，科学出版社，上海无线电七厂编 晶体管原理与设计，科学出版社，北京大学电子仪器