3-2基本CMOS逻辑门电路康华光数字电子技术第六版精选.pptVIP

1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性 3. 其他类型的MOS管 (2) N沟道耗尽型MOS管 * 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.2.1 MOS管及其开关特性 3.2.2 CMOS反相器 3.2.3 其他基本CMOS逻辑门电路 3.2.4 CMOS传输门 CMOS门电路是以MOS管为开关器件。 MOS管的分类： N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 MOS 增强型 耗尽型 3.2.1 MOS管及其开关特性 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 MOS管的分类： 源极 栅极 漏极 p-型半导体 n-型半导体 符号 (1) VGS 控制沟道的导电性 vGS=0, vDS?0, 等效背靠背连接的两个二极管, iD?0。 vGS0, 建立电场 ?反型层 ? vDS0, iD ?0。 沟道建立的最小 vGS 值称为开启电压 VT. (2) VGS 和VDS共同作用 vGS VT, vDS0, 靠近漏极的电压减小。 当VGS VT, iD 随VDS增加几乎成线性增加 。 当vDS ? ? vGD=(vGS?vDS)?VT, 漏极处出现夹断。 继续增加VDS ? ? 夹断区域变大， iD 饱和。 输出特性分为 截止区： 可变电阻区：沟道产生， iD 随vDS