大连理工半导体物理总结与习题.pptxVIP

总结与习题第一章有效质量的概念、意义及简单计算第二章掺杂类型、半导体的类型，什么时候形成间隙式及替位式杂质类氢模型计算电离能缺陷及其影响（施主还是受主）第三章费米分布和玻尔兹曼分布的定义及适用条件n0、p0的表达式，它们与ni的关系简并半导体与非简并半导体电子和空穴占据杂质能级的概率不同温度下，电离程度及载流子浓度的计算第四章电导率的表达式迁移率与平均自由时间的关系散射的概念，以及两种重要的散射机制激起它们与温度和杂质浓度的关系本征半导体和杂质半导体的电阻率随温度的变化关系第五章非平衡载流子的概念小注入条件非平衡载流子的寿命，非平衡载流子浓度随时间的变化关系准费米能级的概念及其计算扩散及扩散电流密度计算第六章pn结的形成过程接触电势差的推导过程及计算pn结内部载流子浓度的计算pn结电流电压特性及计算第七章功函数的概念表面态对接触势垒的影响阻挡层与反阻挡层的形成条件整流接触与欧姆接触第2-3章习题第三章03第三章03第三章03第三章03 7、若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%？计算在该温度下电子分布几率从0.9～0.1所对应的能量区间。8、已知Ge的相对介电常数为16，电子的有效质量惯性质量的0.55倍，计算Ge的基态轨道半径和施主电离能。第5-6章第六章2第六章21、300K时，Si的本征载流子浓度为1*1010cm-3，如果