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集成电路版图基础 ——电容版图设计 一、电容概述 电容器，能够存储电荷的器件。 单位：法拉（F） 电容充电 注意，集成电路中电容值的计算，应计算有效极板面积。即上、下极板之间重叠的面积 2、MOS集成电路中常用的电容： （1）扩散电容 单层多晶工艺使用的方法。淀积多晶硅前先掺杂下电极板区域，再生长栅氧化层和淀积作上电极的多晶硅 多晶硅-扩散区电容器；N阱电容 N阱电容的优缺点 单位电容值大 电容值随上极板（多晶硅栅）上的电压改变而改变 N阱与P型衬底之间形成平行极板，产生寄生电容 由于扩散电容的结构与MOS管相似，可以将MOS管的栅源漏电极进行适当连接构成有源电容，起扩散电容的作用 MOS管的沟道面积即为电容面积 （2）同质材料电容器 分别使用两层金属或两层多晶硅作为电容器的上下极板，氧化层作为绝缘介质 金属电容；双多晶硅电容 能够有效减小寄生电容，但金属电容器单位电容值较小， （3）叠层电容器 利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。 金属-多晶硅-扩散区电容 3、电容值误差——边缘电容 理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。称为极板边缘效应。 极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。 由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，