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半导体器件原理 南京大学 Burrus型LED 边缘发射二极管中波导特性 半导体器件原理 南京大学 边缘发射二极管 半导体器件原理 南京大学 尺寸小，易高频调制，应用于光纤通讯，视频记录，光阅读，高速激光打印。 （四） 半导体器件原理 南京大学 光增益 光反馈 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 激光器=增益+反馈 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 限制效应的增强结构 缓变折射率分别限制异质结构 多量子阱结构 半导体器件原理 南京大学 边缘发射激光器 垂直发射激光器 半导体器件原理 南京大学 分布反馈激光器 通过波导层中折射率的周期变化来实现产生激光的必要反馈。 发射光波长具有很弱的温度依赖性（较小的温度系数） 应用于集成光学系统中的光源 半导体器件原理 南京大学 激光器的比较 半导体器件原理 南京大学 其它半导体激光器材料: 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （1）粒子数反转(P+N+)（EFC-EFV） Eg 正向偏压下，电子从N区注入到复合区，空穴从P区注入到复合区。 足够大的偏压下，复合区包含有大量的电子与空穴，实现反转。 激光器的工作原理 半导体器件原理 南京大学 （2）载流子和光子的限制效应 同质结激光器中，载流子能离开复合区。 双异质结激光器中，载流子被异质结势垒限制在复合区。 复合区外折射率的陡峭变化使激发光场限制在复合区。 限制系数： 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （3）阈值电流密度 低的阈值电流密度, 可在室温下连续工作. 增益g: 单位长度的光子能流增量，依赖于电流密度。 归一化电流密度Jnom：在单位量子效率下均匀激活1?m厚工作层所需的电流密度。 半导体器件原理 南京大学 （1）理论与实验表明DH激光器的阈值电流密度随工作层的厚度减小而减小。 较窄的工作层厚度导致JTH的增加是由于变弱的光子限制所致。 4 激光器的特性 半导体器件原理 南京大学 （2）阈值电流密度随工作温度的增加而呈指数增加。光输出功率随注入电流而线性增加。 Ith?exp（T/T0） （3）光输出功率对调制频率的依赖关系较弱。 半导体器件原理 南京大学 （4）发射谱半高宽随电流增加而减小，当达到阈值电流时，发出近于纯单色光的激光。 半导体器件原理 南京大学 （5） 发出间隔相等的多谱线激光，这是由于法布罗腔的纵向模式。m?=2nL （6）解理耦合腔的使用（使两个法布罗腔自对准并很近地耦合在一起），得到单一频率的激光，可应用于光纤通信。 半导体器件原理 南京大学 5。激光器的应用 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 图像传感器（线形CCD) 半导体器件原理 南京大学 图像传感器（MOS) 半导体器件原理 南京大学 2. 光电器件的基本原理 发光二极管及激光二极管：电能转变为光能。 光探测器及太阳能电池：光能（信号）转变为电能（信号）。 半导体器件原理 南京大学 （一）基本概念 光的吸收（光探测器及太阳能电池） ： 半导体器件原理 南京大学 本征跃迁及非本征跃迁； 辐射跃迁与非辐射跃迁 半导体器件原理 南京大学 光的吸收率=自发辐射率+受激辐射率 较高的光子能密度（共振腔）。 高能级态上电子密度高于低能态（粒子数翻转）。 自发辐射（LED）及受激辐射（LD）。 半导体器件原理 南京大学 吸收系数 截止波长：?C=1.24/Eg ?m 吸收带边 半导体器件原理 南京大学 三个步骤 （1）入射光产生载流子。 （2）载流子的输运或电流增益所引起的放大效应。 （3）电流与外电路的互作用产生输出信号。 应用：光隔离器中的红外传感器及光纤通信中的探测器。 要求：高灵敏度，高响应速度，低噪声。体积小，低电压或低电流，稳定，可靠。 （二）光电探测器 半导体器件原理 南京大学 1. 一般光电探测器 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 2. 电导型探测器 本征跃迁或非本征跃迁产生电子空穴对，使电导增加。 增益可达标106。 小的电极间距及高电场. 一般应用于若干?m以上波长的红外探测。 半导体器件原理 南京大学 3. 光电二极管 反向偏压下，电子空穴对被耗尽层所隔开而流向外电路。 对高频工作，耗尽层必须较薄以减小传输时间。 提高量子又要求较大的耗尽层厚度以增加光的吸收率。 1）量子效率 2）响应速度： a：载流子的扩散；b：耗尽层中的漂移时间；c：耗尽层的电容。 耗尽层厚度必须优化，以获得较小的RC时间常数，小的传输时间以及较大的吸收。 半导体器件原理 南京大学 3）PIN 光电管 耗尽层厚度或本征层厚度,