1MOS二极管.pptVIP

教材 MOS器件原理 纳米CMOS器件 甘学温 黄如 刘晓彦 张兴 编著 科学出版社 2004 成绩 平时小考试：30 平时作业：20 期末考试：50 授课方式 每周4学时课。讲3学时。写作业或小考试1个学时 请上课带教材，课上研读教材 一、硅基MOS集成电路仍将是微电子技术的主流 信息产业的产值已超过机械制造等传统产业成为第一大产业 无论从发展速度还是从对人类社会的影响，都是其它产业无法比拟的。 难以取代 新材料方面取得的进展，不具有成为主流技术的条件 巨大投入形成的产业无法抛弃 对硅及其衍生物的了解劝是其它材料代替不了的。知识的积累非常宝贵 一、硅基MOS集成电路仍将是微电子技术的主流 微电子技术发展空间大 加工工艺水平 设计水平 系统结构 应用领域扩展 系统芯片 MEMS DNA生物芯片 能带及能带图 能带图是研究半导体材料及器件电学特性的有力工具。要深刻理解它、灵活运用它，至少也要能看懂它 利用能带图研究金属半导体接触 MOS在外加电压作用下，达到平衡的判据： 阈值电压 理想MOS电容器 单位面积的微分电容 微分电容C与外加偏压VG 的关系称为MOS系统的电容—电压特性。 若令 则 = 绝缘层单位面积上的电容， = 半导体表面空间电荷区单位面积电容。 称为系统的归一化电容。 积累区（ 0） MOS系统的电容C基本上等于绝缘体电容 。当负偏压的数值逐渐减少时，空间电荷区积累的空穴数随之减少，并且 随 的变化也逐渐减慢， 变小。总电容C也就变小。 平带情况（ =0） 平带电容由掺杂浓度和氧化层厚度确定 耗尽区（ 0） 反型区（ 0） 对理想MOS二极管，判断： Φms= Φm –Φs0, 例题：P型衬底，Na＝1014cm-3，氧化层厚度500?，φms=-0.83V。求阈值电压VT，画出能带图,氧化层上压降是多少？ Surface Charge vs. Surface Potential The relationship between Wm and the impurity concentration for silicon and gallium arsenide, where NB is equal to NA for P-type and ND for n-type semiconductor. Dielectric constant Si:11.7 GaAs:12.9 Capacitance at Low Frequency or quasi-static Capacitance in a MOS capacitor 小信号电容 MOS capacitance is defined as small signal capacitance and is measured by applying a small ac voltage on the top of a dc bias P-type subst rate Accumulation 德拜长度 Depletion 请推导此表达式 归一化电容 随着外加偏压 的增加而减小. W Inversion wdm Once the inversion layer forms, the capacitance starts to increase, since csi is now given by the variation of the inversion charge with respect to which is much large than the depletion capacitance In low frequency, the generation-recombination rates in the surface depletion region are equal to or faster than the vo