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* - * - * Click to edit Master title style Click to edit Master subtitle style Bury NBury P formation P-sub SiN Pad oxide 1. Pad oxide and SiN dep P-sub SiN Pad oxide 2. BN+ expose and SiN etch PR PR 3. PR remove and BN+ Sb implant P-sub BN+ Pad oxide:200A BN+ Pad SiN: 1500A Substrate: P100 15-25 ohm.cm Remain oxide: 60-200A BN+ implant : Sb/70KEV/1E15 Bury NBury P formation 4. BN+ 推阱 oxidization P-sub BN+ 5. SIN 全剥 BP 普注 P-sub BN+ 6. BP 推阱 P-sub BN+ BP BP BN+ oxide BN+ oxide BN+ oxide BN+ 推阱/FOX: R0228（1150℃推阱3h/ 1050℃ oxidization) 控制片氧化层厚度：5800A 产品片氧化层厚度：6500A BP 注入无需用版和光刻，用BN氧化层做自对准普注，在整个wafer上，BP是BN 取反。工艺成本大大降低 BP imp : B/50KEV/4E12 BP 推阱: 1000℃ 40 min EPI growth 7. 表面氧化层全剥 P-sub BN+ BP BP 8. 外延生长 P-sub P-EPI BP BP BN+ 表面氧化层全剥后4小时内必须外延，表面氧化层全剥步由外延外包厂商完成 EPI: 4UM P 型外延 45 ohm.cm 外延时BN/BP 会向表面扩散 P-EPI BP BP BN+ N/P well formation SiN Pad oxide 9. N well Pad oxide and SiN dep BP BP BN+ 1500A SiN 10. N well 曝光 and SIN 刻蚀 PR N well Pad oxide:200A N well Pad SiN: 1500A Remain oxide: 60-200A N/P well formation BP BP BN+ 1500A SiN 11. PR remove and N well implant “P” BP BP BN+ 12. N well 氧化 N well oxide N well implant : P/80KEV/ 5E12 N well 氧化: 950℃(只氧化不推阱） 产品片氧化层厚度：5000A N/P well formation BP BP BN+ 13. SIN 全剥和 P well 普注 N well oxide BP BP BN+ 14. 推阱 N well oxide N well N well P well P well P well 注入无需用版和光刻，用N well氧化层做自对准普注，在整个wafer上，P well是N well 取反。 工艺成本大大降低 P well imp : B/50KEV/5E12 推阱: N well 需与BN 连接起来，将需要接电位的P well 与P 型衬底隔离。 接地（0电位）的P well 与BP P衬底直接相连 Psub TO/FOX formation 15. 表面氧化层全剥 BP BP BN+ N well N well P well P well 16. 有源区 pad oxide/ SIN 生长 BP BP BN+ N well N well P well P well 表面氧化层全剥: BOE湿法腐蚀 SiN Pad oxide Pad oxide:350A Pad SiN: 1500A TO/FOX formation 17. TO曝光 and SIN 刻蚀 BP BP BN+ N well P well P well N well 18. PR remove and FOX BP BP BN+ N well P well P well N well Remain oxide: 150-350A FOX: 5500A Gate oxide 19. SIN 全剥/湿法腐蚀/牺牲氧化 BP BP BN+ N well P well P well N well 20. 牺牲氧化层湿法腐蚀/ 厚栅氧（高压栅氧） BP BP BN+ N well P well P well N well 牺牲氧化: 425A 厚栅氧:
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