1章半导体器件.pptVIP

第二部分 电子技术基础 主要内容： 重点内容： 难点内容： 1.2 半导体二极管 1.2.5 特殊二极管 一、稳压管 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。专为在电路中稳定电压设计，故称为稳压管。。 图2.1.10 稳压管符号 稳压管的图形 符号及伏安特性 图2.1.11 稳压管 伏安特性曲线 DZ 特点： 1、正向特性曲线同二极管； 反 向 击 穿 区 2、反向击穿电压较低，反向特性曲线 比较陡；UZ为稳压值。 3、正常的工作区域为反向击穿区，且可逆。 3、动态电阻rZ： 稳压管动态电阻越小，反向伏安特性曲线越陡，稳压性能越好。 1、稳定电压UZ： 稳压管在正常工作时，管子两端的电压。一般由电子器件手册给出。 稳压管主要参数 1.2.5 特殊二极管 DZ 2、最大稳定电流IZ： 稳压管在正常工作时，允许通过的最大反向电流，一般不应超出此值。 稳压管常用参数见表2.1.1 1.2 半导体二极管 1.2.5 特殊二极管 图2.1.12 光电二极管 光电二极管的图形、等效电路及伏安特性 三、光电二极管 是一种将光能转换成电能的器件，其反向电流随光照强度的变化而上升。 伏安特性： 光电二极管的反向电流与光照度成正比。 应用： 1、光电二极管的管壳上有一个玻璃窗口以便接受光照； 2、可用于光测量。 3、制成光电池。 1.2 半导体二极管 1.2.5 特殊二极管 图2.1.12 发光二极管 发光二极管的图形符号 二、发光二极管 发光二极管是一种将电能转换成光能的器件，即当管子通以电流后将发出光来。 应用： 常作为显示器件，工作电流在几个到几十毫安。当管子加正向电压时，在正向电流激发下，管子发光。发光的颜色有红，黄，绿，蓝，紫等。 1.3 半导体三极管 常用三极管图片 半导体三极管（亦称晶体管）是通过一定工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结的相互影响，使半导体三极管具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 按频率分：高频管、低频管 1.3.1 基本结构 按功率分：大功率管、小功 率管 按结构分：NPN型和PNP型 按工艺分：平面型和合金型 1.3 半导体三极管 NPN型管：NPN型三极管由两个PN结的三层半导体组成。 1.3.1 基本结构 特点：中间的P型半导体特别薄，两边各为一层N型半导体。两个N型区的掺杂浓度不同，不能调换。 图2.1.14 NPN型三极管 三个区： N—集电区P—基区N—发射区三个极：C—集电极B—基极型E—发射极 两个结 ： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 NPN型三极管和PNP型三极管的电路符号。箭头表示发射结正向导通时电流的方向。 1.3.1 基本结构 图2.1.14 NPN型三极管 共同点： 电极名称、符号相同；内部结构相同。 不共同点：P—集电极N—基极型P—发射极 箭头方向 1.3 半导体三极管 半导体三极管的电流放大原理和电流分配情况。 1.3.2 电流分配与放大作用 图2.1.15 电流放大实验电路 实验电路分析： 基极回路（偏置电路）：UCC正极-RB-发射结—UCC负极。 集电极回路： UCC正极-RC-集电极、发射极-UCC负极。 改变基极电阻RB，可使基极、集电极、发射极电流（IB IC 、IE）发生变化。 1.3.2 电流分配与放大作用 实验及测量结果得到如下结论：（见表2.1.2） （4）基极电流少量的变化可以引起集电极电流较大的变化。电流放大系数基本不变 （1）基极电流与集电极电流之和等于发射极电流。 （2）基极电流与集电极电流小很多，发射极电流约等于集电极电流。 （3）半导体三极管有电流放大作用，表2.1.2三列、四列IC IB的比值为： 结论： 共发射极电路使三极管具有放大作用。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO