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半导体制造工艺 牟洪江 274012646@ B607,610 Chemical Vapor Deposition (CVD) Single crystal (epitaxy) 化学气相淀积（CVD） 单晶 (外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜 半导体、介质、金属薄膜 常压化学气相淀积（APCVD），低压CVD (LPCVD)，等离子体增强淀积（PECVD）等 Two different modes of epitaxy Non-selective epitaxial growth (NSEG) 加热器 a) 必须在蒸发温度提供所需热量，但本身结构仍保持稳定。熔点高于被蒸发金属熔点 b) 不能与处于熔融状态的蒸发料合金化或化合 c) 蒸气压很低 d) 易加工成形 例：难熔钨丝螺旋式蒸发源 溅射Sputtering - 溅射淀积Sputter deposition 利用高能粒子（通常是由电场加速的正离子如Ar+）撞击固体表面，使表面离子（原子或分子）逸出的现象 2、射频溅射 — 也可溅射介质 如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正电荷积累。此时可以使用交流电源。 3、反应溅射 在溅射气体中引入反应活性气体如氧或氮气，可改变或控制溅射膜的特性。 如在低温下可制作SiOx、SiNx等钝化膜或多属布线中的绝缘层；TiN、TaN等导电膜或扩散阻挡层 4、磁控溅射 直流溅射和RF溅射中，电子和气体分子碰撞的离化效率较低，电子的能量有许多消耗在非离化的碰撞和被阳极收集。通过外加磁场提高电子的离化率, 磁控溅射可以提高溅射效率。 Batch processing：同时100-200片 薄膜厚度均匀性好 可以精确控制薄膜的成份和结构 台阶覆盖性较好 低温淀积过程 淀积速率快 生产效率高 生产成本低 LPCVD法的主要特点 有时，淀积温度需很低，薄膜质量要求又很高。如： 在形成的Al层上面淀积介质等。 解决办法：等离子增强化学气相淀积 PECVD 多晶硅淀积方法 LPCVD，主要用硅烷法，即在600-650 ℃温度下，由硅烷热分解而制成，总体化学反应（overall reaction）方程是：SiH4→Si(多晶)+2H2 低于575 ℃所淀积的硅是无定形或非晶硅（amorphous Si）； 高于600 ℃淀积的硅是多晶，通常具有柱状结构（column structure）； 当非晶经高温（600 ℃）退火后，会结晶（crystallization）； 柱状结构多晶硅经高温退火后，晶粒要长大（grain growth）。 多晶硅的掺杂 气固相扩散 离子注入 在淀积过程中加入掺杂气体（称为原位掺杂，in situ），与外延掺杂类似 多晶硅的氧化 多晶硅通常在900~1000 ℃范围内进行干氧氧化 未掺杂或轻掺杂多晶硅的氧化速率介於（111）和（100）单晶硅的氧化速率之间 掺磷多晶硅的氧化速率要比未掺杂（或轻掺杂）多晶硅的氧化速率快 薄膜淀积速率随温度上升而迅速增加 淀积速率随压强（硅烷分压）增加而增加 淀积参数的影响- 温度- 压强- 硅烷浓度- 掺杂剂浓度 多晶硅的淀积速率 通常不是硅烷浓度的线性函数 表面吸附的影响 一级反应线性关系 氧化硅的淀积方法 1）低温CVD（250~450?C） 可以同时掺杂，如：PH3，形成PSG磷硅玻璃： 硅烷为源的淀积——APCVD，LPCVD，PECVD 淀积温度低，可作为钝化层，密度小于热生长氧化硅，台阶覆盖差。 用HD-PECVD可以获得低温（120 ?C）的高质量氧化硅膜 也可以PECVD： P2O5和SiO2组成的二元玻璃网络体 应力小，流动性增加 碱金属离子的吸杂中心易吸水形成磷酸 TEOS（正硅酸乙酯）为源的淀积 2）中温LPCVD（680~730?C） （1）不能淀积在Al层上（为什么？） （2）厚度均匀性好，台阶覆盖优良，SiO2膜质量较好 （3）加入PH3等可形成PSG TEOS也可采用PECVD低温淀积（250～425 ?C） —台阶覆盖优良，用于互连介质层 台阶覆盖（保角性 conformality） 淀积速率正比于气体分子到达角度 PSG回流工艺可解决台阶覆盖问题 PSG回流工艺：将形成PSG的样品加热到1000 － 1100 ?C,使PSG软化流动，改善台阶形状 一般6~8 wt% P BPSG可以进一步降低回流温度 氮化硅的淀积方法 LPCVD： 质量好，产量高 PECVD：等离子体中 或 SiNxHy膜对水和钠有极强的阻挡能力，可作为最终的钝化层或多层布线中的介质