半导体器件原理第六章素材.pptVIP

负栅压使二维电子气浓度降低。 如果加正栅压，则二维电子气密度将增加。 增加的正偏栅压将使二维电子气密度将增加，直到AlGaAs的导带与电子气的费米能级交叠。 增强型HEMT器件能带图： （a）很小的正偏栅压；（b）足以使AlGaAs产生传导沟道的大正偏栅压； 增强型HEMT器件的电流-电压关系 这种异质结器件中的电流可以达到很大。 HEMT也可以制成多层异质结。 器件的电流增大，负载能力增强； 多层沟道HEMT受栅电压调制的作用。 最大跨导不能直接用沟道的数量来衡量，因为沟道的阈值电压随沟道不同而变化； 有效沟道长度随栅极与沟道之间的距离增加而增加。 HEMT（高电子迁移率晶体管） 特点 非常高的截止频率fT； 非常高的工作速度； 短沟道效应较小； 噪声性能好。 应用领域 微波低噪声放大； 高速数字集成电路； 低温电路； 功率放大； 微波震荡。 小结 1、两种普通的 JEFT 是 pn JEFT、MESFET。 2、JFET 中的电流由垂直于电流方向的电场控制，电流存在于源极和漏极接触之间的沟道区中。pn JFET 中， 沟道形成了 pn 结的一边， 用于调制沟道电导。 3、JFET 的两个主要参数是内建夹断电压 Vpo 和夹断电压 Vp（阈电压） 。内建夹断电压定义为正值，它是引起结的空间电荷层完全填满沟道区的栅极与沟道之间的总电势。夹断电压（阈电压）定义成形成夹断是所需加的