半导体器件物理(第七章)_施敏_第二版素材.ppt

第7章 MESFET及相关器件 7.1 金属-半导体接触 7.2 金半场效应晶体管（MESFET） 7.3 调制掺杂效应晶体管 本章主题 整流性金半接触及电流电压特性 欧姆性金半接触及特定接触电阻 MESFET及其高频表现 MODFET及二维电子气 MOSFET、MESFET、MODFET比较 7.1 金属-半导体接触 7.1.1 基本特性 电荷、电场分布 相关公式1 相关公式2 相关公式3 7.1.2 肖特基势垒 热电子发射过程的电流输运 肖特基势垒电流电压特性 少数载流子电流密度 7.1.3 欧姆接触 当一金属半导体的接触电阻相对于半导体主体或串联电阻可以忽略不计，就叫做欧姆电阻 欧姆电阻的一个指标为特定接触电阻 7.2 金半场效应晶体管 7.2.1 器件结构 7.2.2 工作原理 沟道电阻 饱和电压 7.2.3 电流电压特性 电流电压方程式 阈值电压： 7.2.4 高频性能 不同种类半导体中，电子漂移速度与电场关系图 7.3 调制掺杂场效应晶体管 7.3.1 MODFET的基本原理 MODFET为异质结构的场效应器件 7.3.2 电流-电压特性 作业： P243 1、7、9 比较MOSFET和MESFET两种器件？ 比较PN结二极管和肖特基势垒二极