半导体集成电路第一章1素材.ppt

双极集成电路的基本制造工艺 双极集成电路中的元件结构 双极集成电路的基本工艺 MOS集成电路的基本制造工艺 MOS集成电路中的元件结构 MOS集成电路的基本工艺 BiCMOS工艺 3.名词解释：隐埋层、寄生晶体管、电隔 离(集成电路中)、介质隔离、PN结隔离 B E C p n+ n-epi n+ P+ P+ S P-Si n+-BL 为了减小集电极串联电阻,饱和压降小，电阻率应取小. 为了减小结电容,击穿电压高，外延层下推小,电阻率应取大; TTL电路：0.2Ω.cm 模拟电路：0.5～5Ω.cm C B E C S P+隔离扩散 P基区扩散 N+扩散 接触孔 铝线 隐埋层 A A’ B B’ C C’ 作业: 1. 画出NPN晶体管的版图，并标注各区域的掺杂类型（直接在图上标）,写出实现该NPN晶体管至少需要多少次光刻以及每次光刻的目的。 2. 画出下图示例在A-A’,B-B’ C-C’处的断面图。 * * * * 半导体 集成电路 学校：西安理工大学 院系：自动化学院电子工程系 专业：电子、微电 时间：秋季学期 集成电路的基本概念 半导体集成电路的分类 半导体集成电路的几个重要概念 内容概述 集 成 电 路 双极型集成电路 MOS集成电路 按器件类型分 按集成度分 SSI（100以下个等效门） MSI（103个等效门） LSI （104个等效门）