半导体集成电路第一章2素材.ppt

1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * dual-well approach uses both n- and p- wells grown on top of a epitaxial layer(using trench isolation areas of SiO2) 1 * 1 * 1 * * 功耗 驱动能力 CMOS 双极型 Bi-CMOS BiCMOS集成电路工艺 * BiCMOS工艺分类 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。 * 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 NPN晶体管电流增益小； 集电极的串联电阻很大; NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用 * 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 NPN具有较薄的基区，提高了其性能； N阱使得NPN管C极与衬底隔开，可根据电路需要接电位 集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力 在现有N阱CMOS工艺上增加一块掩膜板 * 以N阱CMOS工艺为基础的改进BiCMOS工艺 使NPN管的集电极串联电阻减小5?6倍； 使CMOS器件的抗闩锁性能大大提高 * 三、后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金