禁带讨论 禁带受温度,压力影响 与温度关系 或 其中,α、β与半导体种类有关;dEg/dT为温度系数。 一般有T增加,Eg增加。 禁带讨论 与压力关系 压力改变,能谷位置可能发生改变,可能由直接带隙半导体转为间接半导体。 Eg主要决定子半导体性质,可以由实验测量。 思考 什么是空穴,怎么形成的?与电子有什么区别?怎样参与导电? 什么是等能面?K空间的概念是什么?Si,Ge的等能面为何种形状?通常用什么方法来测有效质量? 什么是直接带隙,什么是间接带隙?代表性的半导体是什么? 1.4本征半导体机构 空穴 1.4本征半导体机构 空穴 半导体与金属的区别: 金属只是电子对导电有贡献,不具有空穴这项机构,与半导体有明显地不同; 半导体的导电机构不空穴和电子。我们通过选择和控制空穴及电子的流动来制备各种重要的器件。 1.4本征半导体机构 空穴 空穴的特点: 具有正电荷,及原来的电子速度; 空穴由高至低能态,电子由低到高能态; 空穴有效质量: mp* 电子: 空穴: 1.4本征半导体机构 空穴 1.4本征半导体机构 空穴 1.4本征半导体机构 空穴 两种载流子的意义 更加容易描述半导体导电工作原理 出现了N,P两种半导体 §1.4本征半导体机构 空穴 1.5 等能面和能量极值 一.K空间等能面 由E(k)-K关系,可以找出其等能面
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