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PN 结——伏安特性曲线 ID V VD(on) -IS Si Ge VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 O 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(l0 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 V(BR) ID V 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(l0 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) O 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 击穿电压的温度特性 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子获得的能量? ?V(BR)?。 稳压二极管 利用 PN 结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：IZmin I