N阱CMOS芯片设计方案.pptVIP

微电子技术综合实践 N阱CMOS芯片的设计 一．设计指标要求 1.任务：n阱CMOS芯片制作工艺设计 2.特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） 3. 结构参数参考值： p型硅衬底的电阻率为50 cm； n阱CMOS芯片的n阱掺杂后的方块电阻为690/□，结深为5~6m； pMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度11020cm-3，结深为0.3~0.5m； nMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度11020cm-3，结深为0.3~0.5m； 场氧化层厚度为1m；垫氧化层厚度约为600 ?；栅氧化层厚度为400 ?； 氮化硅膜厚约为1000 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 4．设计内容 （1）MOS管的器件特性参数设计计算； （2）薄膜加工工艺参数计算：分析