第4章常用半導体器件-练习复习题.docVIP

第4章：常用半导体器件-复习要点 基本概念：了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特性以及单向导电性特点，理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；理解硅稳压管的结构和主要参数，掌握稳压管的电路符号；了解三极管的基本结构和电流放大作用，理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。 分析依据和方法： 二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止。 稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）；若稳压管承受正向电压，稳压管导通（与二极管相同）。 理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。 三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压； 三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压； 三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压； 难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。 一、填空题 1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为 自由电子 ，留下一个空位称为 空穴 ，它们分别带负电和正电，称为载流子。 2.在本征半导体中掺微量的五价元素，就称为N型半导体，其多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 ，它主要依靠多数载流子导电。 3.在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 ，它主要依靠多数载流子导电。 4.PN结加 正向电压 时，有较大的电流通过，其电阻较小，加 反向电压 时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。 5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或 阳极 ，与N区相连的电极称为负极或 阴极 。 6.晶体管工作在截止区的条件是：发射结 反向 偏置，集电结 反向 偏置。 7.晶体管工作在放大区的条件是：发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 8.晶体管工作在饱和区的条件是：发射结 正向 偏置，集电结 正向 偏置。 9.三极管IB、IC、IE之间的关系式是（IE＝IB＋IC），IC/IB的比值叫 直流电流放大系数 ，△IC/△IB的比值叫 交流电流放大系数 。 10.在电子技术中三极管的主要作用是： 具有电流放大作用 和开关作用。 11.若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管处于可靠的 截止 状态。 12.已知某PNP型三极管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为-9V 、-6V和-6.2V，则三个电极分别为 集电极 、 发射极和 基极 。 13.已知某NPN型三极管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为9V 、6.2V和6V，则三个电极分别为 集电极 、 基极 和 发射极 。 14.N型半导体中 自由电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。 15.P型半导体中 空穴 是多数载流子， 自由电子 是少数载流子。 16.给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的 P 区，电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。 17.给半导体PN结加反向电压时，电源的正极应接半导体的 N 区，电源的负极通过电阻接半导体的 P 区。 18.半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正向偏置 ，集电结 反向偏置 。 19.二极管的反向漏电流越小，二极管的单向导电性能就 越好 。 20.半导体三极管是具有二个PN结即 发射结 和 集电结 。 21.三极管的偏置情况为 发射结正向偏置 、 集电结正向偏置 时，三极管处于饱和状态。 二、计算题 1．如图所示电路，输入端A的电位UA＝+3V，B点的电位UB＝0V，电阻R接电源电压为-15V，求输出端F的电位UF。 解：因为DA和DB为共阴极连接，A、B两端为它们的阳极，因此UA、UB中的高电位对应的管子将会优先导通。 由UA＞UB可知，DA将会优先导通。如果DA为硅二极管，其正向压降为0V，则此时UF＝+3V。当DA导通后，DB因承受反向电压而截止。 在此处，DA起的就是钳位作用，把F端的电位钳置在+3V；DB起隔离作用，把输入端B和输出端F隔离开。 2．有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用β