214半导体的导电性能.ppt

二. 本征半导体 共价键性质 一分为二 载流子的产生 复 合 合二为一 本征半导体自由电子和空穴的数目是相等的 单位体积的电子数——电子浓度 n0 单位体积的空穴数——空穴浓度p0 n0=p0 本征半导体电导率： σ= n0qμn+ n0qμp =n0q(μn+μp) 对于导带：温度T时，导带内会有多少电子 如果： EC-EF 》k0T 本征半导体电子空穴成对出现，电子、空穴浓度相等，它们的浓度称本征载流子浓度ni ni= n0=p0 N型半导体特征： (1) 从价带跃迁到导带的电子数相对于从施主 能级激发到导带的电子数项小得多，可忽略。 电子——多数载流子 空穴——少数载流子 (2) n 》p σ= nqμn 回答：不能能带的能级能容纳自旋方向相反的两个电子 施主能级所束缚的电子是任一自旋方向（半导体物理） 引入： ND——施主杂质浓度 NA——受主杂质浓度 (1)施主能级的电子浓度nD——没有电离的施主浓度 nD = ND fD(E) (2)受主能级的空穴浓度pA——没有电离的受主浓度 pA = NA fA(E) (3) 电离施主浓度——进入导带中的电子 nD+ =ND -nD (4) 电离受主浓度 pA- = NA- pA N型半导体不同温度下载流子的浓度变化 五.半导体的电学性质 nD+ ≈ ND (3)强电离区： 温度升高，大部分施主杂质发生电离 电子进入导带 n0=nD++p0 P0很小 n0 = ND n0与温度无关 强电离区费米能级表达式： ND一定， T ↑, EF 靠近Ei T一定， ND ↑， EF 靠近Ec 价 带 导 带 EC Ev EF Ei (4)过渡区： 温度升高，施主杂质完全电离，同时本征激发不可忽视 n0=ND+p0 本征半导体 ni=n0=p0 导 带 EC 价 带 Ev EF Ei (5)高温本征激发区 温度升高，本征激发的载流子数远大于施主杂质电离的 n0 》ND p0 》ND n0=p0 导 带 EC 价 带 Ev EF Ei 非本征半导体（n型） 1/T n0 本征区 非本征区 耗尽区 低温区： n0=nD+, 相同温度下，非本征半导体电子浓度 比本征半导体大得多，但对温度的依赖性小。 中温区： n0=ND, 电子浓度基本与温度无关。这个温度对于 非本征半导体材料来说非常重要，（半导体的使用温度）。 耗尽区的上限温度越高表示此种半导体的使用温度越高。 本征半导体： 1/T ni n型 ——耗尽区，因为所有的施主原子因为失去电子而离子化 P型——饱和区，因为所有的受主原子因为得到电子而 离子化 高温区：本征激发区 四 半导体中载流子的运动 载流子在电场作用下的运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电流。 漂移与漂移电流 半导体载流子 没有电场→载流子是无规则的随机运动→不会产生电流 加上电场→载流子定向运动→会产生电流 电子电流 空穴电流 漂移速度： 迁移率，单位电场强度作用下，载流子的平均漂移速度。表明了载流子在半导体材料中运动的难易程度。 (cm2/V.S) 与材料性质，掺杂浓度，载流子种类，温度有关 ND 0 T一定 NA 0 T一定 随着掺杂浓度↑，迁移率↓。因为载流子在迁移过程不仅 受到晶格振动的散射还受到杂质的散射； (2) 当浓度较低时，迁移率接近常数 (载流子主要受晶格振动的散射)； 1. 电离杂质的散射 + — 半导体的主要散射（附加势场）机构有： 电离施主杂质的散射 电离受主杂质的散射 电子 空穴 杂质离子↑，散射几率↑